STB11N52K3 - STMicroelectronics

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-STB11N52K3
Hersteller Teil #: STB11N52K3
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 525V 10A D2PAK
Verpackung: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Mount  
Surface Mount
Mounting Type  
Surface Mount
Package / Case  
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Number of Pins  
4
Transistor Element Material  
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃  
10A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)  
10V
Number of Elements  
1
Turn Off Delay Time  
281 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id  
4.5V @ 50μA
Power Dissipation (Max)  
125W Tc
Operating Temperature  
-55°C~150°C TJ
Packaging  
Tape & Reel (TR)
Series  
SuperMESH3™
Part Status  
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Number of Terminations  
2
ECCN Code  
EAR99
Additional Feature  
ULTRA-LOW RESISTANCE
Terminal Form  
GULL WING
Base Part Number  
STB11N
JESD-30 Code  
R-PSSO-G2
Element Configuration  
Single
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation  
125W
Turn On Delay Time  
7 ns
FET Type  
N-Channel
Transistor Application  
SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
510m Ω @ 5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
1400pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
51nC @ 10V
Rise Time  
18ns
Vgs (Max)  
±30V
Fall Time (Typ)  
42 ns
Continuous Drain Current (ID)  
10A
Threshold Voltage  
3.75V
Gate to Source Voltage (Vgs)  
30V
Drain-source On Resistance-Max  
0.51Ohm
Drain to Source Breakdown Voltage  
525V
Pulsed Drain Current-Max (IDM)  
40A
Avalanche Energy Rating (Eas)  
170 mJ
Height  
4.6mm
Length  
10.75mm
Width  
10.4mm
REACH SVHC  
No SVHC
Radiation Hardening  
No
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
Lead Free  
Lead Free
Suche nach Teilenummer:STB11N52K3 Enthaltenes Wort ist 4
Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
STB11N52K3 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET N-CH 525V 10A D2PAK
FQB27P06TM TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB ON SEMICONDUCTOR - FQB27P06TM - MOSFET Transistor, P Channel, 27 A, -60 V, 0.055 ohm, -10 V, -4 V
IPB054N08N3GATMA1 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB Trans MOSFET N-CH 80V 80A 3-Pin(2 Tab) TO-263
IPB083N10N3GATMA1 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB IPB083N10N3GXT
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Häufig gestellte Fragen

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: MOSFET N-CH 525V 10A D2PAK
Verpackung: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
Lagerbestand: 1048 Kann sofort geliefert werden
Stückpreis: 2.82656
Menge. Stückpreis
1+: $2.82656
10+: $2.66657
100+: $2.51563
500+: $2.37324
1000+: $2.23890
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