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STB60NF06LT4 - STMicroelectronics

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-STB60NF06LT4

Hersteller Teil #: STB60NF06LT4

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Hersteller: STMicroelectronics

Beschreibung: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; D2PAK

Verpackung: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

STB60NF06LT4 Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)

Factory Lead Time

12 Weeks

Mount

Surface Mount

Mounting Type

Surface Mount

Package / Case

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Number of Pins

Weight

4.535924g

Transistor Element Material

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

60A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

5V 10V

Number of Elements

Power Dissipation (Max)

110W Tc

Turn Off Delay Time

55 ns

Operating Temperature

-65°C~175°C TJ

Packaging

Tape & Reel (TR)

Series

STripFET™ II

JESD-609 Code

Part Status

Active

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Number of Terminations

ECCN Code

EAR99

Resistance

16mOhm

Terminal Finish

Matte Tin (Sn) - annealed

Additional Feature

LOW THRESHOLD, AVALANCHE RATED

Voltage - Rated DC

60V

Terminal Form

GULL WING

Peak Reflow Temperature (Cel)

245

Current Rating

60A

Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)

Base Part Number

STB60N

Pin Count

JESD-30 Code

R-PSSO-G2

Element Configuration

Single

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Power Dissipation

110W

Case Connection

DRAIN

Turn On Delay Time

35 ns

FET Type

N-Channel

Transistor Application

SWITCHING

Rds On (Max) @ Id, Vgs

14m Ω @ 30A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250μA

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

2000pF @ 25V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

66nC @ 4.5V

Rise Time

220ns

Vgs (Max)

±15V

Fall Time (Typ)

30 ns

Continuous Drain Current (ID)

60A

Threshold Voltage

Gate to Source Voltage (Vgs)

15V

Drain to Source Breakdown Voltage

60V

Pulsed Drain Current-Max (IDM)

240A

Height

4.6mm

Length

10.4mm

Width

9.35mm

REACH SVHC

No SVHC

Radiation Hardening

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Lead Free

Teilenummer	Paket	Beschreibung
STB60NF06LT4	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; D2PAK
IRFZ48NSTRLPBF	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	MOSFET N-CH 55V 64A D2PAK
STB75NF75LT4	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	Trans MOSFET N-CH 75V 75A Automotive 3-Pin(2 Tab) D2PAK T/R
IRLZ44ZSTRLPBF	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	MOSFET N-CH 55V 51A D2PAK

STB60NF06LT4 Preis
STB60NF06LT4 Verteilers
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What is the Power MOSFET series suitable for in advanced high efficiency isolated DC-DC converters for Telecom and Computer application?

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: Transistor: N-MOSFET; unipolar; 60V; 42A; 110W; D2PAK

Verpackung: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

Datenblatt

Lagerbestand: 180000 Kann sofort geliefert werden

Stückpreis: 2.19915

Menge.	Stückpreis
1+:	$2.19915
10+:	$2.07467
100+:	$1.95723
500+:	$1.84645
1000+:	$1.74193

Zwischensumme: $2.19915

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