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STB35N65M5 - STMicroelectronics

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-STB35N65M5

Hersteller Teil #: STB35N65M5

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Hersteller: STMicroelectronics

Beschreibung: MOSFET POWER MOSFET N-CH 650V

Verpackung: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

STB35N65M5 Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)

Factory Lead Time

17 Weeks

Mount

Surface Mount

Mounting Type

Surface Mount

Package / Case

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Number of Pins

Transistor Element Material

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

27A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

Power Dissipation (Max)

160W Tc

Turn Off Delay Time

60 ns

Operating Temperature

150°C TJ

Packaging

Cut Tape (CT)

Series

MDmesh™ V

JESD-609 Code

Part Status

Active

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Number of Terminations

ECCN Code

EAR99

Resistance

98Ohm

Terminal Finish

Matte Tin (Sn) - annealed

Terminal Form

GULL WING

Peak Reflow Temperature (Cel)

245

Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)

Base Part Number

STB35N

Pin Count

JESD-30 Code

R-PSSO-G2

Element Configuration

Single

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Power Dissipation

160W

Case Connection

ISOLATED

Turn On Delay Time

60 ns

FET Type

N-Channel

Transistor Application

SWITCHING

Rds On (Max) @ Id, Vgs

98m Ω @ 13.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 250μA

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

3750pF @ 100V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

83nC @ 10V

Rise Time

12ns

Vgs (Max)

±25V

Fall Time (Typ)

16 ns

Continuous Drain Current (ID)

27A

Threshold Voltage

Gate to Source Voltage (Vgs)

25V

Drain to Source Breakdown Voltage

650V

Avalanche Energy Rating (Eas)

800 mJ

Height

4.6mm

Length

10.75mm

Width

10.4mm

REACH SVHC

No SVHC

Radiation Hardening

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Lead Free

Teilenummer	Paket	Beschreibung
STB35N65M5	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	MOSFET POWER MOSFET N-CH 650V
STB42N65M5	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	STMICROELECTRONICS STB42N65M5 Power MOSFET, N Channel, 33 A, 650 V, 0.07 ohm, 10 V, 4 V
STB45N65M5	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	MOSFET N CH 650V 35A D2PAK
STB38N65M5	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK
FCB20N60TM	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK

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extremely low on-resistance

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: MOSFET POWER MOSFET N-CH 650V

Verpackung: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

Datenblatt

Lagerbestand: 3000 Kann sofort geliefert werden

Stückpreis: 6.57489

Menge.	Stückpreis
1+:	$6.57489
10+:	$6.20273
100+:	$5.85163
500+:	$5.52041
1000+:	$5.20793

Zwischensumme: $6.57489

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