STB42N65M5 - STMicroelectronics

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-STB42N65M5
Hersteller Teil #: STB42N65M5
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: STMICROELECTRONICS STB42N65M5 Power MOSFET, N Channel, 33 A, 650 V, 0.07 ohm, 10 V, 4 V
Verpackung: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Lifecycle Status  
ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
Factory Lead Time  
17 Weeks
Mount  
Surface Mount
Mounting Type  
Surface Mount
Package / Case  
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Number of Pins  
3
Transistor Element Material  
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃  
33A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)  
10V
Number of Elements  
1
Power Dissipation (Max)  
190W Tc
Turn Off Delay Time  
65 ns
Operating Temperature  
150°C TJ
Packaging  
Tape & Reel (TR)
Series  
MDmesh™ V
JESD-609 Code  
e3
Part Status  
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Number of Terminations  
2
ECCN Code  
EAR99
Resistance  
79mOhm
Terminal Finish  
Matte Tin (Sn) - annealed
Terminal Form  
GULL WING
Peak Reflow Temperature (Cel)  
245
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)  
30
Base Part Number  
STB42N
Pin Count  
4
JESD-30 Code  
R-PSSO-G2
Element Configuration  
Single
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation  
190W
Turn On Delay Time  
61 ns
FET Type  
N-Channel
Transistor Application  
SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
79m Ω @ 16.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id  
5V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
4650pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
100nC @ 10V
Rise Time  
24ns
Vgs (Max)  
±25V
Fall Time (Typ)  
13 ns
Continuous Drain Current (ID)  
33A
Threshold Voltage  
4V
Gate to Source Voltage (Vgs)  
25V
Drain to Source Breakdown Voltage  
650V
Avalanche Energy Rating (Eas)  
950 mJ
Height  
4.6mm
Length  
10.75mm
Width  
10.4mm
REACH SVHC  
No SVHC
Radiation Hardening  
No
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
Lead Free  
Lead Free
Suche nach Teilenummer:STB42N65M5 Enthaltenes Wort ist 4
Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
STB42N65M5 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB STMICROELECTRONICS STB42N65M5 Power MOSFET, N Channel, 33 A, 650 V, 0.07 ohm, 10 V, 4 V
STB57N65M5 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET N-CH 650V 42A D2PAK
STB35N65M5 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET POWER MOSFET N-CH 650V
STB45N65M5 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET N CH 650V 35A D2PAK
Verwandte Teile in STB42N65M5
STB42N65M5 Verwandtes Stichwort.
  • STB42N65M5 Preis
  • STB42N65M5 Verteilers
  • STB42N65M5 Hersteller
  • STB42N65M5 Technische Daten
  • STB42N65M5 PDF
  • STB42N65M5 Datenblätter
  • STB42N65M5 Bild
  • STB42N65M5 Foto
  • STB42N65M5 Teil
  • STB42N65M5 Lagerbestand
  • STB42N65M5 Inventar
  • STB42N65M5 Angebotsanfrage
  • Kaufen STB42N65M5
  • STB42N65M5 Anfrage
  • STB42N65M5 Onlinebestellung
Häufig gestellte Fragen

What innovative vertical process technology is N-channel Power MOSFETs based on?

MDmesh M5

What does the resulting N-channel Power MOSFETs offer?

low on-resistance

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen
Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: STMICROELECTRONICS STB42N65M5 Power MOSFET, N Channel, 33 A, 650 V, 0.07 ohm, 10 V, 4 V
Verpackung: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
Lagerbestand: 2500 Kann sofort geliefert werden
Stückpreis: 8.98691
Menge. Stückpreis
1+: $8.98691
10+: $8.47822
100+: $7.99832
500+: $7.54558
1000+: $7.11847
Zwischensumme: $8.98691

Sie haben nicht den gewünschten Preis?
Füllen Sie die Formulare aus und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Zahlungsmethode

Die Gebühr wird gemäß den Regeln von PayPal erhoben.
Bei einer Überweisung fallen US$30,00 Bankgebühren an.
Die Gebühr wird gemäß den Regeln von PayPal erhoben.
Western Union erhebt eine Bankgebühr von US$0.00.

VERSANDKOSTEN

DHL(www.dhl.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.
UPS(www.ups.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.
FedEx(www.fedex.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.
Einschreiben(www.singpost.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.

Paket

Schritt1 Produkt
Schritt2 Gehäuse Drivepipe
Schritt3 Antistatikbeutel
Schritt4 Verpackungskartons
Schritt5 Barcode-Versandetikett

Neueste Produkte


Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
DC333A-A
Analog Devices Inc.
DC333A-A
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
DC644A
Analog Devices Inc.
LT5520EUF UPCON MIXER DEMO BOARD
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
DC945A
Analog Devices Inc.
LT5572EUF DEMO BOARD
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
DC1431A-C
Analog Devices Inc.
LTC5542IUH DEMO BOARD
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
G5S12010PM
Global Power Technology-GPT
DIODE SIL CARB 1.2KV 33A TO247AC
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
G5S6504Z
Global Power Technology-GPT
DIODE SIL CARB 650V 15.45A 8DFN
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
G4S06516BT
Global Power Technology-GPT
SIC SCHOTTKY DIODE 650V 16A 3-PI
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
G3S06520A
Global Power Technology-GPT
DIODE SIC 650V 56.5A TO220AC
Mehr erfahren