STB42N65M5 - STMicroelectronics

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Kynix Teil #: KY13-STB42N65M5
Hersteller Teil #: STB42N65M5
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: STMICROELECTRONICS STB42N65M5 Power MOSFET, N Channel, 33 A, 650 V, 0.07 ohm, 10 V, 4 V
Verpackung: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Factory Lead Time  
17 Weeks
Mount  
Surface Mount
Mounting Type  
Surface Mount
Package / Case  
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Number of Pins  
3
Transistor Element Material  
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃  
33A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)  
10V
Number of Elements  
1
Power Dissipation (Max)  
190W Tc
Turn Off Delay Time  
65 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id  
5V @ 250μA
Operating Temperature  
150°C TJ
Packaging  
Tape & Reel (TR)
Series  
MDmesh™ V
JESD-609 Code  
e3
Part Status  
ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Number of Terminations  
2
ECCN Code  
EAR99
Resistance  
79mOhm
Terminal Finish  
Matte Tin (Sn) - annealed
Terminal Form  
GULL WING
Peak Reflow Temperature (Cel)  
245
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)  
30
Base Part Number  
STB42N
JESD-30 Code  
R-PSSO-G2
Element Configuration  
Single
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation  
190W
Turn On Delay Time  
61 ns
FET Type  
N-Channel
Transistor Application  
SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
79m Ω @ 16.5A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
4650pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
100nC @ 10V
Rise Time  
24ns
Vgs (Max)  
±25V
Fall Time (Typ)  
13 ns
Continuous Drain Current (ID)  
33A
Threshold Voltage  
4V
Gate to Source Voltage (Vgs)  
25V
Drain to Source Breakdown Voltage  
650V
Avalanche Energy Rating (Eas)  
950 mJ
Height  
4.6mm
Length  
10.75mm
Width  
10.4mm
REACH SVHC  
No SVHC
Radiation Hardening  
No
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
Lead Free  
Lead Free
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Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
STB42N65M5 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB STMICROELECTRONICS STB42N65M5 Power MOSFET, N Channel, 33 A, 650 V, 0.07 ohm, 10 V, 4 V
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Häufig gestellte Fragen

What innovative vertical process technology is N-channel Power MOSFETs based on?

MDmesh M5

What does the resulting N-channel Power MOSFETs offer?

low on-resistance

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: STMICROELECTRONICS STB42N65M5 Power MOSFET, N Channel, 33 A, 650 V, 0.07 ohm, 10 V, 4 V
Verpackung: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
Lagerbestand: 6025 Kann sofort geliefert werden
Stückpreis: 9.02317
Menge. Stückpreis
1+: $9.02317
10+: $8.51243
100+: $8.03059
500+: $7.57603
1000+: $7.14720
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