STB34NM60ND - STMicroelectronics

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Kynix Teil #: KY13-STB34NM60ND
Hersteller Teil #: STB34NM60ND
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
Verpackung: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Factory Lead Time  
26 Weeks
Mount  
Surface Mount
Mounting Type  
Surface Mount
Package / Case  
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Number of Pins  
3
Transistor Element Material  
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃  
29A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)  
10V
Number of Elements  
1
Power Dissipation (Max)  
190W Tc
Turn Off Delay Time  
111 ns
Operating Temperature  
150°C TJ
Packaging  
Cut Tape (CT)
Series  
FDmesh™ II
JESD-609 Code  
e3
Part Status  
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Number of Terminations  
2
ECCN Code  
EAR99
Resistance  
110MOhm
Terminal Finish  
Matte Tin (Sn) - annealed
Additional Feature  
ULTRA-LOW RESISTANCE
Terminal Form  
GULL WING
Peak Reflow Temperature (Cel)  
245
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)  
30
Base Part Number  
STB34N
Pin Count  
4
JESD-30 Code  
R-PSSO-G2
Element Configuration  
Single
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation  
190W
Case Connection  
DRAIN
Turn On Delay Time  
30 ns
FET Type  
N-Channel
Transistor Application  
SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
110m Ω @ 14.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id  
5V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
2785pF @ 50V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
80.4nC @ 10V
Rise Time  
53.4ns
Drain to Source Voltage (Vdss)  
600V
Vgs (Max)  
±25V
Fall Time (Typ)  
61.8 ns
Continuous Drain Current (ID)  
29A
Threshold Voltage  
4V
Gate to Source Voltage (Vgs)  
25V
Drain to Source Breakdown Voltage  
650V
Height  
4.6mm
Length  
10.75mm
Width  
10.4mm
REACH SVHC  
No SVHC
Radiation Hardening  
No
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
Lead Free  
Lead Free
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Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
STB34NM60ND TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
STB42N65M5 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB STMICROELECTRONICS STB42N65M5 Power MOSFET, N Channel, 33 A, 650 V, 0.07 ohm, 10 V, 4 V
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Häufig gestellte Fragen

What is the result of the N-channel MDmeshTM V Power MOSFET?

extremely low on-resistance

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: MOSFET N-CH 600V 29A D2PAK
Verpackung: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
Lagerbestand: 28200 Kann sofort geliefert werden
Stückpreis: 9.05053
Menge. Stückpreis
1+: $9.05053
10+: $8.53824
100+: $8.05494
500+: $7.59900
1000+: $7.16887
Zwischensumme: $9.05053

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