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STB40N60M2 - STMicroelectronics

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-STB40N60M2

Hersteller Teil #: STB40N60M2

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Hersteller: STMicroelectronics

Beschreibung: MOSFET POWER MOSFET

Verpackung: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

STB40N60M2 Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Factory Lead Time

26 Weeks

Contact Plating

Tin

Mount

Surface Mount

Mounting Type

Surface Mount

Package / Case

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Weight

3.949996g

Transistor Element Material

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

34A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

Power Dissipation (Max)

250W Tc

Turn Off Delay Time

96 ns

Operating Temperature

-55°C~150°C TJ

Packaging

Cut Tape (CT)

Series

MDmesh™ II Plus

Part Status

Active

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Number of Terminations

ECCN Code

EAR99

Terminal Form

GULL WING

Peak Reflow Temperature (Cel)

NOT SPECIFIED

Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)

NOT SPECIFIED

Base Part Number

STB40N

JESD-30 Code

R-PSSO-G2

Number of Channels

Element Configuration

Single

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Case Connection

DRAIN

Turn On Delay Time

20.5 ns

FET Type

N-Channel

Transistor Application

SWITCHING

Rds On (Max) @ Id, Vgs

88m Ω @ 17A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250μA

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

2500pF @ 100V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

57nC @ 10V

Rise Time

13.5ns

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Vgs (Max)

±25V

Fall Time (Typ)

11 ns

Continuous Drain Current (ID)

34A

Gate to Source Voltage (Vgs)

25V

Drain-source On Resistance-Max

0.088Ohm

DS Breakdown Voltage-Min

600V

Avalanche Energy Rating (Eas)

500 mJ

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Lead Free

Teilenummer	Paket	Beschreibung
STB40N60M2	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	MOSFET POWER MOSFET
FCB070N65S3	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCB070N65S3 Power MOSFET, N Channel, 44 A, 650 V, 0.062 ohm, 10 V, 4.5 VNew
IPB60R099CPAATMA1	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	MOSFET N-CH 600V 31A TO263-3
STB45N50DM2AG	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	MOSFET N-CH 500V 35A
STB42N60M2-EP	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	MOSFET N-CH 600V 34A EP D2PAK

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: MOSFET POWER MOSFET

Verpackung: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

Datenblatt

Lagerbestand: 63259 Kann sofort geliefert werden

Stückpreis: 5.31383

Menge.	Stückpreis
1+:	$5.31383
10+:	$5.01304
100+:	$4.72929
500+:	$4.46159
1000+:	$4.20905

Zwischensumme: $5.31383

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