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STB38N65M5 - STMicroelectronics

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-STB38N65M5

Hersteller Teil #: STB38N65M5

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Hersteller: STMicroelectronics

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK

Verpackung: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

STB38N65M5 Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

Factory Lead Time

17 Weeks

Mount

Surface Mount

Mounting Type

Surface Mount

Package / Case

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Number of Pins

Transistor Element Material

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

30A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

Power Dissipation (Max)

190W Tc

Turn Off Delay Time

66 ns

Operating Temperature

150°C TJ

Packaging

Tape & Reel (TR)

Series

MDmesh™ V

JESD-609 Code

Part Status

Active

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Number of Terminations

ECCN Code

EAR99

Resistance

95MOhm

Terminal Finish

Matte Tin (Sn) - annealed

Terminal Form

THROUGH-HOLE

Peak Reflow Temperature (Cel)

245

Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)

Base Part Number

STB38N

Element Configuration

Single

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Power Dissipation

190W

Case Connection

ISOLATED

Turn On Delay Time

66 ns

FET Type

N-Channel

Transistor Application

SWITCHING

Rds On (Max) @ Id, Vgs

95m Ω @ 15A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 250μA

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

3000pF @ 100V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

71nC @ 10V

Rise Time

9ns

Vgs (Max)

±25V

Fall Time (Typ)

9 ns

Continuous Drain Current (ID)

30A

JEDEC-95 Code

TO-220AB

Gate to Source Voltage (Vgs)

25V

Drain to Source Breakdown Voltage

650V

Avalanche Energy Rating (Eas)

660 mJ

Height

4.6mm

Length

10.4mm

Width

9.35mm

Radiation Hardening

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Lead Free

Teilenummer	Paket	Beschreibung
STB38N65M5	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK
STB42N65M5	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	STMICROELECTRONICS STB42N65M5 Power MOSFET, N Channel, 33 A, 650 V, 0.07 ohm, 10 V, 4 V
STB45N65M5	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	MOSFET N CH 650V 35A D2PAK
STB34N65M5	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	MOSFET N-CH 650V 28A D2PAK

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What does the resulting transistor show for low on-resistance, rugged avalance characteristics and less critical alignment steps?

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK

Verpackung: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

Datenblatt

Lagerbestand: 4000 Kann sofort geliefert werden

Stückpreis: 8.08771

Menge.	Stückpreis
1+:	$8.08771
10+:	$7.62992
100+:	$7.19803
500+:	$6.79060
1000+:	$6.40622

Zwischensumme: $8.08771

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