STB20NM50FDT4 - STMicroelectronics

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Kynix Teil #: KY13-STB20NM50FDT4
Hersteller Teil #: STB20NM50FDT4
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK
Verpackung: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Mount  
Surface Mount
Mounting Type  
Surface Mount
Package / Case  
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Number of Pins  
3
Transistor Element Material  
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃  
20A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)  
10V
Number of Elements  
1
Power Dissipation (Max)  
192W Tc
Operating Temperature  
150°C TJ
Packaging  
Tape & Reel (TR)
Series  
FDmesh™
JESD-609 Code  
e3
Part Status  
Not For New Designs
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Number of Terminations  
2
ECCN Code  
EAR99
Resistance  
250mOhm
Terminal Finish  
Matte Tin (Sn) - annealed
Terminal Form  
GULL WING
Peak Reflow Temperature (Cel)  
245
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)  
30
Base Part Number  
STB20N
Pin Count  
3
JESD-30 Code  
R-PSSO-G2
Element Configuration  
Single
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation  
192W
Turn On Delay Time  
22 ns
FET Type  
N-Channel
Transistor Application  
SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
250m Ω @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id  
5V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
1380pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
53nC @ 10V
Rise Time  
20ns
Vgs (Max)  
±30V
Fall Time (Typ)  
15 ns
Continuous Drain Current (ID)  
20A
Gate to Source Voltage (Vgs)  
30V
Drain to Source Breakdown Voltage  
500V
Pulsed Drain Current-Max (IDM)  
80A
Avalanche Energy Rating (Eas)  
700 mJ
Radiation Hardening  
No
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
Lead Free  
Lead Free
Suche nach Teilenummer:STB20NM50FDT4 Enthaltenes Wort ist 5
Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
STB20NM50FDT4 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK
FCB20N60FTM TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
STB20NM60T4 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET N-CH 600V 20A D2PAK
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Häufig gestellte Fragen

What advantages does the FDmeshTM associate with?

reduced on-resistance and fast switching with an intrinsic fast-recovery body diode

What is FDmeshTM strongly recommended for bridge topologies?

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: MOSFET N-CH 500V 20A D2PAK
Verpackung: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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