STB3N62K3 - STMicroelectronics

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Kynix Teil #: KY13-STB3N62K3
Hersteller Teil #: STB3N62K3
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-channel 620V, 2.7A Power MOSFET
Verpackung: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Mount  
Surface Mount
Mounting Type  
Surface Mount
Package / Case  
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Number of Pins  
3
Transistor Element Material  
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃  
2.7A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)  
10V
Number of Elements  
1
Power Dissipation (Max)  
45W Tc
Turn Off Delay Time  
22 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id  
4.5V @ 50μA
Operating Temperature  
150°C TJ
Packaging  
Tape & Reel (TR)
Series  
SuperMESH3™
JESD-609 Code  
e3
Pbfree Code  
yes
Part Status  
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Number of Terminations  
2
ECCN Code  
EAR99
Resistance  
2.5Ohm
Terminal Finish  
Matte Tin (Sn) - annealed
Terminal Form  
GULL WING
Peak Reflow Temperature (Cel)  
245
Base Part Number  
STB3N
JESD-30 Code  
R-PSSO-G2
Element Configuration  
Single
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation  
45W
Turn On Delay Time  
9 ns
FET Type  
N-Channel
Transistor Application  
SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
2.5 Ω @ 1.4A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
385pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
13nC @ 10V
Rise Time  
6.8ns
Vgs (Max)  
±30V
Fall Time (Typ)  
15.6 ns
Continuous Drain Current (ID)  
2.7A
Threshold Voltage  
3.75V
Gate to Source Voltage (Vgs)  
30V
Drain to Source Breakdown Voltage  
620V
Pulsed Drain Current-Max (IDM)  
10.8A
Avalanche Energy Rating (Eas)  
100 mJ
Height  
4.6mm
Length  
10.75mm
Width  
10.4mm
REACH SVHC  
No SVHC
Radiation Hardening  
No
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
Lead Free  
Lead Free
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Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
STB3N62K3 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB MOSFET N-channel 620V, 2.7A Power MOSFET
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Häufig gestellte Fragen

What is the effect of the new SuperMESH3TM series?

reducing on-resistance significantly versus previous generation

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: MOSFET N-channel 620V, 2.7A Power MOSFET
Verpackung: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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