STB30N65M5 - STMicroelectronics

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-STB30N65M5
Hersteller Teil #: STB30N65M5
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: STB30N65M5: 650 V 0.139 Ohm Surface Mount N-Channel Power MOSFET - D2PAK
Verpackung: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Lifecycle Status  
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
Factory Lead Time  
17 Weeks
Mount  
Surface Mount
Mounting Type  
Surface Mount
Package / Case  
TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Number of Pins  
3
Transistor Element Material  
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃  
22A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)  
10V
Number of Elements  
1
Power Dissipation (Max)  
140W Tc
Turn Off Delay Time  
50 ns
Operating Temperature  
150°C TJ
Packaging  
Cut Tape (CT)
Series  
MDmesh™ V
JESD-609 Code  
e3
Part Status  
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Number of Terminations  
2
ECCN Code  
EAR99
Resistance  
139MOhm
Terminal Finish  
Matte Tin (Sn) - annealed
Additional Feature  
AVALANCHE ENERGY RATED
Terminal Form  
GULL WING
Peak Reflow Temperature (Cel)  
245
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)  
30
Base Part Number  
STB30N
Pin Count  
4
JESD-30 Code  
R-PSSO-G2
Element Configuration  
Single
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation  
140W
Turn On Delay Time  
50 ns
FET Type  
N-Channel
Transistor Application  
SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
139m Ω @ 11A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id  
5V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
2880pF @ 100V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
64nC @ 10V
Rise Time  
8ns
Vgs (Max)  
±25V
Fall Time (Typ)  
10 ns
Continuous Drain Current (ID)  
22A
Gate to Source Voltage (Vgs)  
25V
Drain to Source Breakdown Voltage  
650V
Pulsed Drain Current-Max (IDM)  
88A
Avalanche Energy Rating (Eas)  
500 mJ
Radiation Hardening  
No
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
Lead Free  
Lead Free
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Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
STB30N65M5 TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB STB30N65M5: 650 V 0.139 Ohm Surface Mount N-Channel Power MOSFET - D2PAK
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: STB30N65M5: 650 V 0.139 Ohm Surface Mount N-Channel Power MOSFET - D2PAK
Verpackung: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
Lagerbestand: 6724 Kann sofort geliefert werden
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