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STB30N65M5 - STMicroelectronics

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-STB30N65M5

Hersteller Teil #: STB30N65M5

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Hersteller: STMicroelectronics

Beschreibung: STB30N65M5: 650 V 0.139 Ohm Surface Mount N-Channel Power MOSFET - D2PAK

Verpackung: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

STB30N65M5 Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

Factory Lead Time

17 Weeks

Mount

Surface Mount

Mounting Type

Surface Mount

Package / Case

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Number of Pins

Transistor Element Material

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

22A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

Power Dissipation (Max)

140W Tc

Turn Off Delay Time

50 ns

Operating Temperature

150°C TJ

Packaging

Cut Tape (CT)

Series

MDmesh™ V

JESD-609 Code

Part Status

Active

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Number of Terminations

ECCN Code

EAR99

Resistance

139MOhm

Terminal Finish

Matte Tin (Sn) - annealed

Additional Feature

AVALANCHE ENERGY RATED

Terminal Form

GULL WING

Peak Reflow Temperature (Cel)

245

Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)

Base Part Number

STB30N

Pin Count

JESD-30 Code

R-PSSO-G2

Element Configuration

Single

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Power Dissipation

140W

Turn On Delay Time

50 ns

FET Type

N-Channel

Transistor Application

SWITCHING

Rds On (Max) @ Id, Vgs

139m Ω @ 11A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 250μA

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

2880pF @ 100V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

64nC @ 10V

Rise Time

8ns

Vgs (Max)

±25V

Fall Time (Typ)

10 ns

Continuous Drain Current (ID)

22A

Gate to Source Voltage (Vgs)

25V

Drain to Source Breakdown Voltage

650V

Pulsed Drain Current-Max (IDM)

88A

Avalanche Energy Rating (Eas)

500 mJ

Radiation Hardening

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Lead Free

Teilenummer	Paket	Beschreibung
STB30N65M5	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	STB30N65M5: 650 V 0.139 Ohm Surface Mount N-Channel Power MOSFET - D2PAK
STB32N65M5	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	MOSFET POWER MOSFET N-CH 650V
STB35N65M5	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	MOSFET POWER MOSFET N-CH 650V
STB34N65M5	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	MOSFET N-CH 650V 28A D2PAK

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: STB30N65M5: 650 V 0.139 Ohm Surface Mount N-Channel Power MOSFET - D2PAK

Verpackung: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

Datenblatt

Lagerbestand: 6724 Kann sofort geliefert werden

Stückpreis: 6.31245

Menge.	Stückpreis
1+:	$6.31245
10+:	$5.95515
100+:	$5.61806
500+:	$5.30006
1000+:	$5.00005

Zwischensumme: $6.31245

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