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STP18NM80 - STMicroelectronics

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-STP18NM80

Hersteller Teil #: STP18NM80

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Hersteller: STMicroelectronics

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 17A TO-220

Verpackung: TO-220-3

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

STP18NM80 Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Factory Lead Time

16 Weeks

Mount

Through Hole

Mounting Type

Through Hole

Package / Case

TO-220-3

Number of Pins

Transistor Element Material

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

17A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Turn Off Delay Time

96 ns

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

5V @ 250μA

Number of Elements

Power Dissipation (Max)

190W Tc

Series

MDmesh™

Operating Temperature

150°C TJ

Packaging

Tube

JESD-609 Code

Part Status

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Number of Terminations

ECCN Code

EAR99

Resistance

295MOhm

Terminal Finish

Matte Tin (Sn)

Base Part Number

STP18N

Element Configuration

Single

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Power Dissipation

190W

Turn On Delay Time

18 ns

FET Type

N-Channel

Transistor Application

SWITCHING

Rds On (Max) @ Id, Vgs

295m Ω @ 8.5A, 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

2070pF @ 50V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

70nC @ 10V

Rise Time

28ns

Vgs (Max)

±30V

Fall Time (Typ)

50 ns

Continuous Drain Current (ID)

17A

Threshold Voltage

JEDEC-95 Code

TO-220AB

Gate to Source Voltage (Vgs)

30V

Drain to Source Breakdown Voltage

800V

Pulsed Drain Current-Max (IDM)

68A

Avalanche Energy Rating (Eas)

600 mJ

Height

15.75mm

Width

4.6mm

Length

10.4mm

RoHS Status

ROHS3 Compliant

REACH SVHC

No SVHC

Radiation Hardening

Lead Free

Teilenummer	Paket	Beschreibung
STP18NM80	TO-220-3	MOSFET N-CH 800V 17A TO-220
STP21NM60ND	TO-220-3	Trans MOSFET N-CH 600V 17A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Tube
STP20NM60	TO-220-3	MOSFET N-CH 600V 20A TO-220
FCP22N60N	TO-220-3	MOSFET N-CH 600V 22A TO-220
STP20NM60FD	TO-220-3	Trans MOSFET N-CH 600V 20A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Tube

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What characteristics do these N-channel Power MOSFETs offer?

low on-resistance, high dv/dt and excellent avalanche characteristics

What is the name of the type of strip technique used by STMicroelectronics?

ST’s proprietary strip technique

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 17A TO-220

Verpackung: TO-220-3

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

Datenblatt

Lagerbestand: 1 Kann sofort geliefert werden

Stückpreis: 7.23966

Menge.	Stückpreis
1+:	$7.23966
10+:	$6.82987
100+:	$6.44327
500+:	$6.07856
1000+:	$5.73449

Zwischensumme: $7.23966

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