SCT20N120 - STMicroelectronics

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-SCT20N120
Hersteller Teil #: SCT20N120
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET 1200V silicon carbide MOSFET
Verpackung: TO-247-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Mount  
Through Hole
Mounting Type  
Through Hole
Package / Case  
TO-247-3
Weight  
38.000013g
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃  
20A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)  
20V
Power Dissipation (Max)  
175W Tc
Turn Off Delay Time  
27 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id  
3.5V @ 1mA
Operating Temperature  
-55°C~200°C TJ
Packaging  
Tube
Part Status  
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
ECCN Code  
EAR99
Peak Reflow Temperature (Cel)  
NOT SPECIFIED
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)  
NOT SPECIFIED
Base Part Number  
SCT20
Number of Channels  
1
Element Configuration  
Single
Turn On Delay Time  
10 ns
FET Type  
N-Channel
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
290m Ω @ 10A, 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
650pF @ 400V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
45nC @ 20V
Rise Time  
16ns
Drain to Source Voltage (Vdss)  
1200V
Vgs (Max)  
+25V, -10V
Fall Time (Typ)  
17 ns
Continuous Drain Current (ID)  
20A
Gate to Source Voltage (Vgs)  
25V
Drain to Source Breakdown Voltage  
1.2kV
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
Lead Free  
Lead Free
Suche nach Teilenummer:SCT20N120 Enthaltenes Wort ist 4
Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
SCT20N120 TO-247-3 MOSFET 1200V silicon carbide MOSFET
STW23N85K5 TO-247-3 MOSFET N-CH 850V 19A TO-247
STW22N95K5 TO-247-3 MOSFET N-CH 950V 17.5A TO-247
STWA20N95K5 TO-247-3 MOSFET N-CH 950V 17.5A TO-247
Verwandte Teile in SCT20N120
SCT20N120 Verwandtes Stichwort.
  • SCT20N120 Preis
  • SCT20N120 Verteilers
  • SCT20N120 Hersteller
  • SCT20N120 Technische Daten
  • SCT20N120 PDF
  • SCT20N120 Datenblätter
  • SCT20N120 Bild
  • SCT20N120 Foto
  • SCT20N120 Teil
  • SCT20N120 Lagerbestand
  • SCT20N120 Inventar
  • SCT20N120 Angebotsanfrage
  • Kaufen SCT20N120
  • SCT20N120 Anfrage
  • SCT20N120 Onlinebestellung
Häufig gestellte Fragen

What type of material does the Power MOSFET exploit?

wide bandgap materials

What is the result of the silicon carbide Power MOSFET?

on-resistance per unit area

What is the name of the power supply in the Power MOSFET?

Switch mode power supplies

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen
Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: MOSFET 1200V silicon carbide MOSFET
Verpackung: TO-247-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
Lagerbestand: 20000 Kann sofort geliefert werden
Stückpreis: 19.78511
Menge. Stückpreis
1+: $19.78511
10+: $18.66520
100+: $17.60868
500+: $16.61196
1000+: $15.67166
Zwischensumme: $19.78511

Sie haben nicht den gewünschten Preis?
Füllen Sie die Formulare aus und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Zahlungsmethode

Die Gebühr wird gemäß den Regeln von PayPal erhoben.
Bei einer Überweisung fallen US$30,00 Bankgebühren an.
Die Gebühr wird gemäß den Regeln von PayPal erhoben.
Western Union erhebt eine Bankgebühr von US$0.00.

VERSANDKOSTEN

DHL(www.dhl.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.
UPS(www.ups.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.
FedEx(www.fedex.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.
Einschreiben(www.singpost.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.

Paket

Schritt1 Produkt
Schritt2 Gehäuse Drivepipe
Schritt3 Antistatikbeutel
Schritt4 Verpackungskartons
Schritt5 Barcode-Versandetikett

Neueste Produkte


Transistors - FETs, MOSFETs - Single
DC333A-A
Analog Devices Inc.
DC333A-A
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
DC644A
Analog Devices Inc.
LT5520EUF UPCON MIXER DEMO BOARD
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
DC945A
Analog Devices Inc.
LT5572EUF DEMO BOARD
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
DC1431A-C
Analog Devices Inc.
LTC5542IUH DEMO BOARD
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
G5S12010PM
Global Power Technology-GPT
DIODE SIL CARB 1.2KV 33A TO247AC
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
G5S6504Z
Global Power Technology-GPT
DIODE SIL CARB 650V 15.45A 8DFN
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
G4S06516BT
Global Power Technology-GPT
SIC SCHOTTKY DIODE 650V 16A 3-PI
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
G3S06520A
Global Power Technology-GPT
DIODE SIC 650V 56.5A TO220AC
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
G5S12008PM
Global Power Technology-GPT
DIODE SIC 1.2KV 27.9A TO247AC
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
G5S12008A
Global Power Technology-GPT
DIODE SIC 1.2KV 24.8A TO220AC
Mehr erfahren