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STD4N80K5 - STMicroelectronics

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-STD4N80K5

Hersteller Teil #: STD4N80K5

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Hersteller: STMicroelectronics

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 2.1Ohm 3A Zener-protected

Verpackung: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

STD4N80K5 Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Factory Lead Time

17 Weeks

Contact Plating

Tin

Mount

Surface Mount

Mounting Type

Surface Mount

Package / Case

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Number of Pins

Transistor Element Material

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

3A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

5V @ 100μA

Turn Off Delay Time

36 ns

Power Dissipation (Max)

60W Tc

Series

SuperMESH5™

Packaging

Cut Tape (CT)

Operating Temperature

-55°C~150°C TJ

Part Status

ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Number of Terminations

ECCN Code

EAR99

Resistance

2.5Ohm

Terminal Form

GULL WING

Base Part Number

STD4N

JESD-30 Code

R-PSSO-G2

Number of Channels

Element Configuration

Single

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Power Dissipation

60W

Case Connection

DRAIN

Turn On Delay Time

16.5 ns

FET Type

N-Channel

Transistor Application

SWITCHING

Rds On (Max) @ Id, Vgs

2.5 Ω @ 1.5A, 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

175pF @ 100V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

10.5nC @ 10V

Rise Time

15ns

Vgs (Max)

±30V

Fall Time (Typ)

21 ns

Continuous Drain Current (ID)

Gate to Source Voltage (Vgs)

30V

Drain Current-Max (Abs) (ID)

Drain to Source Breakdown Voltage

800V

Avalanche Energy Rating (Eas)

74.5 mJ

Height

2.4mm

Length

6.6mm

Width

6.2mm

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Radiation Hardening

Lead Free

Teilenummer	Paket	Beschreibung
STD4N80K5	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	MOSFET N-CH 800V 2.1Ohm 3A Zener-protected
STD4N62K3	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	MOSFET N-CH 620V 3.8A DPAK
STD3N62K3	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	MOSFET N-CH 620V 2.7A DPAK
FCD4N60TM	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	N-Channel Power MOSFET, SUPERFET®, Easy Drive, 600 V, 3.9 A, 1.2 O, DPAK
STD3NM60N	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	MOSFET N-Ch 600 V 1.6 Ohm 3.3 A MDmesh II

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 2.1Ohm 3A Zener-protected

Verpackung: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

Datenblatt

Lagerbestand: 34877 Kann sofort geliefert werden

Stückpreis: 1.98682

Menge.	Stückpreis
1+:	$1.98682
10+:	$1.87436
100+:	$1.76827
500+:	$1.66817
1000+:	$1.57375

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