STW11NM80 - STMicroelectronics

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-STW11NM80
Hersteller Teil #: STW11NM80
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 11A TO-247
Verpackung: TO-247-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Lifecycle Status  
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
Factory Lead Time  
16 Weeks
Mount  
Through Hole
Mounting Type  
Through Hole
Package / Case  
TO-247-3
Number of Pins  
3
Transistor Element Material  
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃  
11A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)  
10V
Number of Elements  
1
Power Dissipation (Max)  
150W Tc
Turn Off Delay Time  
46 ns
Operating Temperature  
-65°C~150°C TJ
Packaging  
Tube
Series  
MDmesh™
JESD-609 Code  
e3
Part Status  
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Number of Terminations  
3
ECCN Code  
EAR99
Resistance  
400mOhm
Terminal Finish  
Tin (Sn)
Additional Feature  
ULTRA-LOW RESISTANCE
Voltage - Rated DC  
800V
Current Rating  
11A
Base Part Number  
STW11N
Pin Count  
3
Element Configuration  
Single
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation  
150W
Turn On Delay Time  
22 ns
FET Type  
N-Channel
Transistor Application  
SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
400m Ω @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id  
5V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
1630pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
43.6nC @ 10V
Rise Time  
17ns
Vgs (Max)  
±30V
Fall Time (Typ)  
15 ns
Continuous Drain Current (ID)  
5.5A
Threshold Voltage  
4V
Gate to Source Voltage (Vgs)  
30V
Drain to Source Breakdown Voltage  
800V
Pulsed Drain Current-Max (IDM)  
44A
Avalanche Energy Rating (Eas)  
400 mJ
Height  
20.15mm
Length  
15.75mm
Width  
5.15mm
REACH SVHC  
No SVHC
Radiation Hardening  
No
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
Lead Free  
Lead Free
Suche nach Teilenummer:STW11NM80 Enthaltenes Wort ist 4
Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
STW11NM80 TO-247-3 MOSFET N-CH 800V 11A TO-247
STW15NM60ND TO-247-3 MOSFET N-CH 600V 14A TO-247
STW13NK60Z TO-247-3 MOSFET N-CH 600V 13A TO-247
STW13N95K3 TO-247-3 Trans MOSFET N-CH 950V 10A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube
Verwandte Teile in STW11NM80
STW11NM80 Verwandtes Stichwort.
  • STW11NM80 Preis
  • STW11NM80 Verteilers
  • STW11NM80 Hersteller
  • STW11NM80 Technische Daten
  • STW11NM80 PDF
  • STW11NM80 Datenblätter
  • STW11NM80 Bild
  • STW11NM80 Foto
  • STW11NM80 Teil
  • STW11NM80 Lagerbestand
  • STW11NM80 Inventar
  • STW11NM80 Angebotsanfrage
  • Kaufen STW11NM80
  • STW11NM80 Anfrage
  • STW11NM80 Onlinebestellung
Häufig gestellte Fragen

What technique does the MDmeshTM adopt?

proprietary strip technique

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen
Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 11A TO-247
Verpackung: TO-247-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
Lagerbestand: 600 Kann sofort geliefert werden
Stückpreis: 12.59446
Menge. Stückpreis
1+: $12.59446
10+: $11.88157
100+: $11.20902
500+: $10.57455
1000+: $9.97599
Zwischensumme: $12.59446

Sie haben nicht den gewünschten Preis?
Füllen Sie die Formulare aus und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Zahlungsmethode

Die Gebühr wird gemäß den Regeln von PayPal erhoben.
Bei einer Überweisung fallen US$30,00 Bankgebühren an.
Die Gebühr wird gemäß den Regeln von PayPal erhoben.
Western Union erhebt eine Bankgebühr von US$0.00.

VERSANDKOSTEN

DHL(www.dhl.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.
UPS(www.ups.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.
FedEx(www.fedex.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.
Einschreiben(www.singpost.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.

Paket

Schritt1 Produkt
Schritt2 Gehäuse Drivepipe
Schritt3 Antistatikbeutel
Schritt4 Verpackungskartons
Schritt5 Barcode-Versandetikett

Neueste Produkte


Transistors - FETs, MOSFETs - Single
STEVAL-TDR016V1
STMicroelectronics
Evaluation Board Based On PD55015-E 30 W, 155 - 165 MHz
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
ML51LD1AE
Nuvoton
64KB FLASH ROM, 4KB SRAM, 2 CHS
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
FKC05-24S15
Astrodyne TDI Power Supplies & EMI Filters
DC-DC Regulated Power Supply Module, 1 Output, 5W, Hybrid, DIP-23/10
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
PIC12F675T-E/MD
Microchip Technology Inc
8-BIT, FLASH, 20 MHz, RISC MICROCONTROLLER, PDSO8, 4 X 4 MM, 0.90 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DFN-8
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
PMBFJ210
NXP Semiconductors
TRANSISTOR 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, PLASTIC, SOT-23, 3 PIN, FET General Purpose Small Signal
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TS80C188EB-8
Intel Corporation
RISC Microprocessor, 16-Bit, 8MHz, CMOS, PQFP80,
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TA48M033F
Toshiba America Electronic Components
IC VREG 3.3 V FIXED POSITIVE LDO REGULATOR, 0.65 V DROPOUT, PSIP3, 2.30 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC, HSIP-3, Fixed Positive Single Output LDO Regulator
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
S3L60
Shindengen Electronic Manufacturing Co Ltd
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.8A, 600V V(RRM), Silicon, AX14, 2 PIN
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TC7SH14FU
Toshiba America Electronic Components
IC HC/UH SERIES, 1-INPUT INVERT GATE, PDSO5, 0.65 MM PITCH, PLASTIC, SSOP-5, Gate
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Single
TC7S04FU
Toshiba America Electronic Components
IC HC/UH SERIES, 1-INPUT INVERT GATE, PDSO5, 0.65 MM PITCH, PLASTIC, SSOP-5, Gate
Mehr erfahren