STW11NM80 - STMicroelectronics

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Kynix Teil #: KY13-STW11NM80
Hersteller Teil #: STW11NM80
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 11A TO-247
Verpackung: TO-247-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Lifecycle Status  
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
Factory Lead Time  
16 Weeks
Mount  
Through Hole
Mounting Type  
Through Hole
Package / Case  
TO-247-3
Number of Pins  
3
Transistor Element Material  
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃  
11A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)  
10V
Number of Elements  
1
Power Dissipation (Max)  
150W Tc
Turn Off Delay Time  
46 ns
Operating Temperature  
-65°C~150°C TJ
Packaging  
Tube
Series  
MDmesh™
JESD-609 Code  
e3
Part Status  
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Number of Terminations  
3
ECCN Code  
EAR99
Resistance  
400mOhm
Terminal Finish  
Tin (Sn)
Additional Feature  
ULTRA-LOW RESISTANCE
Voltage - Rated DC  
800V
Current Rating  
11A
Base Part Number  
STW11N
Pin Count  
3
Element Configuration  
Single
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation  
150W
Turn On Delay Time  
22 ns
FET Type  
N-Channel
Transistor Application  
SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
400m Ω @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id  
5V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
1630pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
43.6nC @ 10V
Rise Time  
17ns
Vgs (Max)  
±30V
Fall Time (Typ)  
15 ns
Continuous Drain Current (ID)  
5.5A
Threshold Voltage  
4V
Gate to Source Voltage (Vgs)  
30V
Drain to Source Breakdown Voltage  
800V
Pulsed Drain Current-Max (IDM)  
44A
Avalanche Energy Rating (Eas)  
400 mJ
Height  
20.15mm
Length  
15.75mm
Width  
5.15mm
REACH SVHC  
No SVHC
Radiation Hardening  
No
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
Lead Free  
Lead Free
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Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
STW11NM80 TO-247-3 MOSFET N-CH 800V 11A TO-247
STW15NM60ND TO-247-3 MOSFET N-CH 600V 14A TO-247
STW13NK60Z TO-247-3 MOSFET N-CH 600V 13A TO-247
STW13N95K3 TO-247-3 Trans MOSFET N-CH 950V 10A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube
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Häufig gestellte Fragen

What technique does the MDmeshTM adopt?

proprietary strip technique

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: MOSFET N-CH 800V 11A TO-247
Verpackung: TO-247-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
Lagerbestand: 600 Kann sofort geliefert werden
Stückpreis: 12.59446
Menge. Stückpreis
1+: $12.59446
10+: $11.88157
100+: $11.20902
500+: $10.57455
1000+: $9.97599
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