STS4DPF30L - STMicroelectronics

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-STS4DPF30L
Hersteller Teil #: STS4DPF30L
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET 2P-CH 30V 4A 8-SOIC
Verpackung: 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Mount  
Surface Mount
Mounting Type  
Surface Mount
Package / Case  
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Number of Pins  
8
Transistor Element Material  
SILICON
Number of Elements  
2
Turn Off Delay Time  
125 ns
Operating Temperature  
-55°C~150°C TJ
Packaging  
Cut Tape (CT)
Series  
STripFET™
JESD-609 Code  
e3
Part Status  
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Number of Terminations  
8
ECCN Code  
EAR99
Resistance  
80mOhm
Terminal Finish  
Matte Tin (Sn) - annealed
Voltage - Rated DC  
-30V
Max Power Dissipation  
2W
Terminal Form  
GULL WING
Peak Reflow Temperature (Cel)  
260
Current Rating  
-4A
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)  
30
Base Part Number  
STS4D
Pin Count  
8
Element Configuration  
Single
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation  
2W
Turn On Delay Time  
25 ns
FET Type  
2 P-Channel (Dual)
Transistor Application  
SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
80m Ω @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id  
1V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
1350pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
16nC @ 5V
Rise Time  
35ns
Drain to Source Voltage (Vdss)  
30V
Fall Time (Typ)  
35 ns
Continuous Drain Current (ID)  
4A
Threshold Voltage  
1V
Gate to Source Voltage (Vgs)  
16V
Drain Current-Max (Abs) (ID)  
4A
Drain to Source Breakdown Voltage  
-30V
Pulsed Drain Current-Max (IDM)  
16A
FET Technology  
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
FET Feature  
Standard
Height  
1.25mm
Length  
5mm
Width  
4mm
REACH SVHC  
No SVHC
Radiation Hardening  
No
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
Lead Free  
Lead Free
Suche nach Teilenummer:STS4DPF30L Enthaltenes Wort ist 3
Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
STS4DPF30L 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET 2P-CH 30V 4A 8-SOIC
IRF7316TRPBF 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET 2P-CH 30V 4.9A 8-SOIC
IRF7303TRPBF 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
Verwandte Teile in STS4DPF30L
STS4DPF30L Verwandtes Stichwort.
  • STS4DPF30L Preis
  • STS4DPF30L Verteilers
  • STS4DPF30L Hersteller
  • STS4DPF30L Technische Daten
  • STS4DPF30L PDF
  • STS4DPF30L Datenblätter
  • STS4DPF30L Bild
  • STS4DPF30L Foto
  • STS4DPF30L Teil
  • STS4DPF30L Lagerbestand
  • STS4DPF30L Inventar
  • STS4DPF30L Angebotsanfrage
  • Kaufen STS4DPF30L
  • STS4DPF30L Anfrage
  • STS4DPF30L Onlinebestellung
Häufig gestellte Fragen

What is the latest development of?

STMicroelectronis

What does the resulting transistor show for low onresistance, rugged avalanche characteristics and less critical alignment steps?

high packing density

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen
Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: MOSFET 2P-CH 30V 4A 8-SOIC
Verpackung: 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
Lagerbestand: 15630 Kann sofort geliefert werden
Stückpreis: aufrufen

Sie haben nicht den gewünschten Preis?
Füllen Sie die Formulare aus und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Zahlungsmethode

Die Gebühr wird gemäß den Regeln von PayPal erhoben.
Bei einer Überweisung fallen US$30,00 Bankgebühren an.
Die Gebühr wird gemäß den Regeln von PayPal erhoben.
Western Union erhebt eine Bankgebühr von US$0.00.

VERSANDKOSTEN

DHL(www.dhl.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.
UPS(www.ups.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.
FedEx(www.fedex.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.
Einschreiben(www.singpost.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.

Paket

Schritt1 Produkt
Schritt2 Gehäuse Drivepipe
Schritt3 Antistatikbeutel
Schritt4 Verpackungskartons
Schritt5 Barcode-Versandetikett

Neueste Produkte


Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays

Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays

Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
DC333A-A
Analog Devices Inc.
DC333A-A
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
DC644A
Analog Devices Inc.
LT5520EUF UPCON MIXER DEMO BOARD
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
DC945A
Analog Devices Inc.
LT5572EUF DEMO BOARD
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
DC1431A-C
Analog Devices Inc.
LTC5542IUH DEMO BOARD
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
G5S12010PM
Global Power Technology-GPT
DIODE SIL CARB 1.2KV 33A TO247AC
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
G5S6504Z
Global Power Technology-GPT
DIODE SIL CARB 650V 15.45A 8DFN
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
G4S06516BT
Global Power Technology-GPT
SIC SCHOTTKY DIODE 650V 16A 3-PI
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
G3S06520A
Global Power Technology-GPT
DIODE SIC 650V 56.5A TO220AC
Mehr erfahren