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STB57N65M5 - STMicroelectronics

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-STB57N65M5

Hersteller Teil #: STB57N65M5

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Hersteller: STMicroelectronics

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 42A D2PAK

Verpackung: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

STB57N65M5 Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

Factory Lead Time

17 Weeks

Mount

Surface Mount

Mounting Type

Surface Mount

Package / Case

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Number of Pins

Transistor Element Material

SILICON

Manufacturer Package Identifier

D2PAK-0079457

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

42A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

Power Dissipation (Max)

250W Tc

Turn Off Delay Time

12 ns

Operating Temperature

150°C TJ

Packaging

Tape & Reel (TR)

Series

MDmesh™ V

JESD-609 Code

Part Status

Active

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Number of Terminations

ECCN Code

EAR99

Resistance

63mOhm

Terminal Finish

Matte Tin (Sn) - annealed

Terminal Form

THROUGH-HOLE

Peak Reflow Temperature (Cel)

245

Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)

Base Part Number

STB57N

Number of Channels

Element Configuration

Single

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Power Dissipation

250W

Case Connection

DRAIN

Turn On Delay Time

73 ns

FET Type

N-Channel

Transistor Application

SWITCHING

Rds On (Max) @ Id, Vgs

63m Ω @ 21A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

5V @ 250μA

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

4200pF @ 100V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

98nC @ 10V

Rise Time

15ns

Vgs (Max)

±25V

Fall Time (Typ)

19 ns

Continuous Drain Current (ID)

42A

Threshold Voltage

JEDEC-95 Code

TO-220AB

Gate to Source Voltage (Vgs)

25V

Drain to Source Breakdown Voltage

650V

Avalanche Energy Rating (Eas)

960 mJ

Max Junction Temperature (Tj)

150°C

Height

4.83mm

Length

10.4mm

Width

9.35mm

REACH SVHC

No SVHC

Radiation Hardening

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Lead Free

Teilenummer	Paket	Beschreibung
STB57N65M5	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	MOSFET N-CH 650V 42A D2PAK
STB42N65M5	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	STMICROELECTRONICS STB42N65M5 Power MOSFET, N Channel, 33 A, 650 V, 0.07 ohm, 10 V, 4 V
STB45N65M5	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	MOSFET N CH 650V 35A D2PAK
STB38N65M5	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	MOSFET N-CH 650V 30A D2PAK

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: MOSFET N-CH 650V 42A D2PAK

Verpackung: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

Datenblatt

Lagerbestand: 2248 Kann sofort geliefert werden

Stückpreis: 10.74850

Menge.	Stückpreis
1+:	$10.74850
10+:	$10.14009
100+:	$9.56613
500+:	$9.02465
1000+:	$8.51382

Zwischensumme: $10.74850

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