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STB120NF10T4 - STMicroelectronics

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-STB120NF10T4

Hersteller Teil #: STB120NF10T4

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Hersteller: STMicroelectronics

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 110A D2PAK

Verpackung: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

STB120NF10T4 Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

Factory Lead Time

12 Weeks

Contact Plating

Tin

Mount

Surface Mount

Mounting Type

Surface Mount

Package / Case

TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Number of Pins

Weight

13.607771g

Transistor Element Material

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

110A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

Power Dissipation (Max)

312W Tc

Turn Off Delay Time

132 ns

Operating Temperature

-55°C~175°C TJ

Packaging

Tape & Reel (TR)

Series

STripFET™ II

JESD-609 Code

Part Status

Active

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Number of Terminations

Termination

SMD/SMT

ECCN Code

EAR99

Resistance

10.5mOhm

Voltage - Rated DC

100V

Terminal Form

GULL WING

Peak Reflow Temperature (Cel)

245

Current Rating

120A

Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)

Base Part Number

STB120N

Pin Count

JESD-30 Code

R-PSSO-G2

Element Configuration

Single

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Power Dissipation

312W

Case Connection

DRAIN

Turn On Delay Time

25 ns

FET Type

N-Channel

Transistor Application

SWITCHING

Rds On (Max) @ Id, Vgs

10.5m Ω @ 60A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

4V @ 250μA

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

5200pF @ 25V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

233nC @ 10V

Rise Time

90ns

Vgs (Max)

±20V

Fall Time (Typ)

68 ns

Continuous Drain Current (ID)

110A

Threshold Voltage

Gate to Source Voltage (Vgs)

20V

Drain to Source Breakdown Voltage

100V

Pulsed Drain Current-Max (IDM)

480A

Dual Supply Voltage

100V

Avalanche Energy Rating (Eas)

550 mJ

Nominal Vgs

4 V

Height

4.6mm

Length

10.4mm

Width

9.35mm

REACH SVHC

No SVHC

Radiation Hardening

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Lead Free

Teilenummer	Paket	Beschreibung
STB120NF10T4	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	MOSFET N-CH 100V 110A D2PAK
STB140NF75T4	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	MOSFET N-CH 75V 120A D2PAK
IRFS4410TRLPBF	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	INFINEON IRFS4410TRLPBF MOSFET Transistor, N Channel, 88 A, 100 V, 0.008 ohm, 10 V, 4 VNew
IRF8010STRLPBF	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	MOSFET N-CH 100V 80A D2PAK
IRFS4410ZPBF	TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB	MOSFET N-CH 100V 97A D2PAK

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STB120NF10T4 Hersteller
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What is STripFETTM?

STMicroelectronics

What type of converter is STripFET suitable for?

high-efficiency, high-frequency isolated DC-DC converters

What is STripFET intended for?

low gate drive requirements

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 110A D2PAK

Verpackung: TO-263-3, D2Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

Datenblatt

Lagerbestand: 16017 Kann sofort geliefert werden

Stückpreis: 3.68860

Menge.	Stückpreis
1+:	$3.68860
10+:	$3.47981
100+:	$3.28284
500+:	$3.09702
1000+:	$2.92172

Zwischensumme: $3.68860

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