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STD18N55M5 - STMicroelectronics

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-STD18N55M5

Hersteller Teil #: STD18N55M5

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Hersteller: STMicroelectronics

Beschreibung: Mosfet Transistor, N Channel, 13 A, 550 V, 0.18 Ohm, 10 V, 4 V Rohs Compliant: Yes

Verpackung: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

STD18N55M5 Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Factory Lead Time

17 Weeks

Package / Case

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Mounting Type

Surface Mount

Mount

Surface Mount

Number of Pins

Transistor Element Material

SILICON

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

5V @ 250μA

Turn Off Delay Time

29 ns

Power Dissipation (Max)

110W Tc

Number of Elements

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

16A Tc

Series

MDmesh™ V

Packaging

Tape & Reel (TR)

Operating Temperature

150°C TJ

JESD-609 Code

Part Status

Active

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Number of Terminations

ECCN Code

EAR99

Resistance

180mOhm

Terminal Finish

Matte Tin (Sn) - annealed

Terminal Form

GULL WING

Peak Reflow Temperature (Cel)

260

Base Part Number

STD18

JESD-30 Code

R-PSSO-G2

Element Configuration

Single

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Power Dissipation

90W

FET Type

N-Channel

Transistor Application

SWITCHING

Rds On (Max) @ Id, Vgs

192m Ω @ 8A, 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1260pF @ 100V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

31nC @ 10V

Rise Time

9.5ns

Vgs (Max)

±25V

Fall Time (Typ)

13 ns

Continuous Drain Current (ID)

13A

Threshold Voltage

Gate to Source Voltage (Vgs)

25V

Drain Current-Max (Abs) (ID)

Drain to Source Breakdown Voltage

550V

Pulsed Drain Current-Max (IDM)

56A

Width

6.2mm

Length

6.6mm

Height

2.4mm

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Radiation Hardening

REACH SVHC

No SVHC

Lead Free

Teilenummer	Paket	Beschreibung
STD18N55M5	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Mosfet Transistor, N Channel, 13 A, 550 V, 0.18 Ohm, 10 V, 4 V Rohs Compliant: Yes
FCD380N60E	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	MOSFET N CH 600V 10.2A DPAK
STD16N65M5	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	MOSFET N-CH 650V 12A DPAK
STD11NM60ND	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	MOSFET N-channel 600V, 10A FDMesh II
STD18N65M5	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	MOSFET N-CH 650V 15A DPAK

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: Mosfet Transistor, N Channel, 13 A, 550 V, 0.18 Ohm, 10 V, 4 V Rohs Compliant: Yes

Verpackung: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

Datenblatt

Lagerbestand: 4770 Kann sofort geliefert werden

Stückpreis: 3.22025

Menge.	Stückpreis
1+:	$3.22025
10+:	$3.03798
100+:	$2.86602
500+:	$2.70379
1000+:	$2.55074

Zwischensumme: $3.22025

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