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STD25NF10LT4 - STMicroelectronics

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-STD25NF10LT4

Hersteller Teil #: STD25NF10LT4

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Hersteller: STMicroelectronics

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 25A DPAK

Verpackung: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

STD25NF10LT4 Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

Contact Plating

Tin

Mount

Surface Mount

Mounting Type

Surface Mount

Package / Case

TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Number of Pins

Weight

4.535924g

Transistor Element Material

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

25A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

4.5V 10V

Number of Elements

Power Dissipation (Max)

100W Tc

Turn Off Delay Time

58 ns

Operating Temperature

-55°C~175°C TJ

Packaging

Cut Tape (CT)

Series

STripFET™ II

JESD-609 Code

Part Status

Active

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Number of Terminations

ECCN Code

EAR99

Resistance

35mOhm

Additional Feature

LOGIC LEVEL COMPATIBLE

Voltage - Rated DC

100V

Terminal Form

GULL WING

Peak Reflow Temperature (Cel)

260

Current Rating

25A

Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)

Base Part Number

STD25N

Pin Count

JESD-30 Code

R-PSSO-G2

Number of Channels

Voltage

100V

Element Configuration

Single

Current

17A

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Power Dissipation

100W

Case Connection

DRAIN

Turn On Delay Time

20 ns

FET Type

N-Channel

Transistor Application

SWITCHING

Rds On (Max) @ Id, Vgs

35m Ω @ 12.5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

2.5V @ 250μA

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1710pF @ 25V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

52nC @ 5V

Rise Time

40ns

Vgs (Max)

±16V

Fall Time (Typ)

20 ns

Continuous Drain Current (ID)

25A

Threshold Voltage

2.5V

Gate to Source Voltage (Vgs)

16V

Drain to Source Breakdown Voltage

100V

Avalanche Energy Rating (Eas)

450 mJ

Max Junction Temperature (Tj)

175°C

Nominal Vgs

2.5 V

Height

2.63mm

Length

6.6mm

Width

6.2mm

REACH SVHC

No SVHC

Radiation Hardening

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Lead Free

Teilenummer	Paket	Beschreibung
STD25NF10LT4	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
AUIRLR3410TR	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	AUTOMOTIVE MOSFET,100V 17A AUTO DPAK
STD26NF10	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	MOSFET N-CH 100V 25A DPAK
STD40NF10	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	Trans MOSFET N-CH 100V 50A 3-Pin(2 Tab) DPAK T/R
FDD3860	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63	In a Pack of 5, FDD3860 N-Channel MOSFET, 29 A, 100 V PowerTrench, 3-Pin DPAK ON Semiconductor

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 25A DPAK

Verpackung: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

Datenblatt

Lagerbestand: 60000 Kann sofort geliefert werden

Stückpreis: 3.95786

Menge.	Stückpreis
1+:	$3.95786
10+:	$3.73383
100+:	$3.52248
500+:	$3.32310
1000+:	$3.13500

Zwischensumme: $3.95786

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