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STS8DN3LLH5 - STMicroelectronics

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-STS8DN3LLH5

Hersteller Teil #: STS8DN3LLH5

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays

Hersteller: STMicroelectronics

Beschreibung: Dual Channel 30 V 10 A 19 mOhm Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8

Verpackung: 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

STS8DN3LLH5 Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)

Factory Lead Time

14 Weeks

Mount

Surface Mount

Mounting Type

Surface Mount

Package / Case

8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

Number of Pins

Transistor Element Material

SILICON

Number of Elements

Turn Off Delay Time

21.1 ns

Operating Temperature

-55°C~150°C TJ

Packaging

Tape & Reel (TR)

Series

STripFET™ V

JESD-609 Code

Part Status

Active

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Number of Terminations

ECCN Code

EAR99

Resistance

19MOhm

Terminal Finish

Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)

Max Power Dissipation

2.7W

Terminal Form

GULL WING

Peak Reflow Temperature (Cel)

260

Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)

Base Part Number

STS8DN

Pin Count

Element Configuration

Dual

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Power Dissipation

2.7W

Turn On Delay Time

4 ns

FET Type

2 N-Channel (Dual)

Transistor Application

SWITCHING

Rds On (Max) @ Id, Vgs

19m Ω @ 5A, 10V

Vgs(th) (Max) @ Id

1V @ 250μA

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

724pF @ 25V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

5.4nC @ 4.5V

Rise Time

4.2ns

Drain to Source Voltage (Vdss)

30V

Fall Time (Typ)

3.5 ns

Continuous Drain Current (ID)

10A

Gate to Source Voltage (Vgs)

22V

Drain to Source Breakdown Voltage

30V

Pulsed Drain Current-Max (IDM)

40A

FET Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

FET Feature

Logic Level Gate

Radiation Hardening

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Lead Free

Teilenummer	Paket	Beschreibung
STS8DN3LLH5	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	Dual Channel 30 V 10 A 19 mOhm Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
FDS8878	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 10.2A 8SOIC
IRF7807ZTRPBF	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-CH 30V 11A 8-SOIC
STS11N3LLH5	8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)	MOSFET N-channel 30 V 0.012 11A STripFET2

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: Dual Channel 30 V 10 A 19 mOhm Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8

Verpackung: 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

Datenblatt

Lagerbestand: 33000 Kann sofort geliefert werden

Stückpreis: 2.05816

Menge.	Stückpreis
1+:	$2.05816
10+:	$1.94166
100+:	$1.83176
500+:	$1.72807
1000+:	$1.63026

Zwischensumme: $2.05816

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