STS8DN3LLH5 - STMicroelectronics

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-STS8DN3LLH5
Hersteller Teil #: STS8DN3LLH5
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: Dual Channel 30 V 10 A 19 mOhm Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
Verpackung: 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Lifecycle Status  
ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
Factory Lead Time  
14 Weeks
Mount  
Surface Mount
Mounting Type  
Surface Mount
Package / Case  
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Number of Pins  
8
Transistor Element Material  
SILICON
Number of Elements  
2
Turn Off Delay Time  
21.1 ns
Operating Temperature  
-55°C~150°C TJ
Packaging  
Tape & Reel (TR)
Series  
STripFET™ V
JESD-609 Code  
e4
Part Status  
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Number of Terminations  
8
ECCN Code  
EAR99
Resistance  
19MOhm
Terminal Finish  
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
Max Power Dissipation  
2.7W
Terminal Form  
GULL WING
Peak Reflow Temperature (Cel)  
260
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)  
30
Base Part Number  
STS8DN
Pin Count  
8
Element Configuration  
Dual
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation  
2.7W
Turn On Delay Time  
4 ns
FET Type  
2 N-Channel (Dual)
Transistor Application  
SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
19m Ω @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id  
1V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
724pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
5.4nC @ 4.5V
Rise Time  
4.2ns
Drain to Source Voltage (Vdss)  
30V
Fall Time (Typ)  
3.5 ns
Continuous Drain Current (ID)  
10A
Gate to Source Voltage (Vgs)  
22V
Drain to Source Breakdown Voltage  
30V
Pulsed Drain Current-Max (IDM)  
40A
FET Technology  
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
FET Feature  
Logic Level Gate
Radiation Hardening  
No
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
Lead Free  
Lead Free
Suche nach Teilenummer:STS8DN3LLH5 Enthaltenes Wort ist 4
Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
STS8DN3LLH5 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) Dual Channel 30 V 10 A 19 mOhm Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
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Häufig gestellte Fragen

What is the second generation of STMicroelectronics unique strip-based process?

Power MOSFET

What shows the best trade-off between on-resistance and gate charge?

transistor

What does Power MOSFET give the best performance in terms of?

conduction and switching losses

What is the best trade-off between on-resistance and gate charge?

Optimal RDS(on) x Qg

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: Dual Channel 30 V 10 A 19 mOhm Surface Mount Power Mosfet - SOIC-8
Verpackung: 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
Lagerbestand: 33000 Kann sofort geliefert werden
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