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STP33N60DM2 - STMicroelectronics

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-STP33N60DM2

Hersteller Teil #: STP33N60DM2

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Hersteller: STMicroelectronics

Beschreibung: STMICROELECTRONICS STP33N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 24 A, 600 V, 0.11 ohm, 10 V, 4 V

Verpackung: TO-220-3

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

STP33N60DM2 Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Factory Lead Time

17 Weeks

Mount

Through Hole

Mounting Type

Through Hole

Package / Case

TO-220-3

Number of Pins

Transistor Element Material

SILICON

Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃

24A Tc

Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)

10V

Number of Elements

Power Dissipation (Max)

190W Tc

Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id

5V @ 250μA

Operating Temperature

-55°C~150°C TJ

Packaging

Tube

Series

MDmesh™ DM2

Part Status

ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Number of Terminations

ECCN Code

EAR99

Terminal Position

SINGLE

Peak Reflow Temperature (Cel)

NOT SPECIFIED

Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)

NOT SPECIFIED

Base Part Number

STP33N

Configuration

SINGLE WITH BUILT-IN DIODE

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Case Connection

DRAIN

FET Type

N-Channel

Transistor Application

SWITCHING

Rds On (Max) @ Id, Vgs

130m Ω @ 12A, 10V

Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds

1870pF @ 100V

Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs

43nC @ 10V

Drain to Source Voltage (Vdss)

600V

Vgs (Max)

±25V

Continuous Drain Current (ID)

24A

Threshold Voltage

JEDEC-95 Code

TO-220AB

Pulsed Drain Current-Max (IDM)

96A

DS Breakdown Voltage-Min

600V

Avalanche Energy Rating (Eas)

570 mJ

REACH SVHC

No SVHC

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Teilenummer	Paket	Beschreibung
STP33N60DM2	TO-220-3	STMICROELECTRONICS STP33N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 24 A, 600 V, 0.11 ohm, 10 V, 4 V
IPP60R125CPXKSA1	TO-220-3	MOSFET N-CH 650V 25A TO-220
FCP125N60E	TO-220-3	FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FCP125N60E MOSFET Transistor, N Channel, 29 A, 600 V, 0.102 ohm, 10 V, 3.5 VNew
STP28N60DM2	TO-220-3	STMICROELECTRONICS STP28N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 21 A, 600 V, 0.13 ohm, 10 V, 4 V
STP35N60DM2	TO-220-3	STMICROELECTRONICS STP35N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 28 A, 600 V, 0.094 ohm, 10 V, 4 V

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STP33N60DM2 Verteilers
STP33N60DM2 Hersteller
STP33N60DM2 Technische Daten
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: STMICROELECTRONICS STP33N60DM2 Power MOSFET, Mdmesh DM2, N Channel, 24 A, 600 V, 0.11 ohm, 10 V, 4 V

Verpackung: TO-220-3

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

Datenblatt

Lagerbestand: 2500 Kann sofort geliefert werden

Stückpreis: 3.86308

Menge.	Stückpreis
1+:	$3.86308
10+:	$3.64441
100+:	$3.43813
500+:	$3.24352
1000+:	$3.05992

Zwischensumme: $3.86308

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