STS10DN3LH5 - STMicroelectronics

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-STS10DN3LH5
Hersteller Teil #: STS10DN3LH5
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC
Verpackung: 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Lifecycle Status  
NRND (Last Updated: 8 months ago)
Factory Lead Time  
14 Weeks
Mount  
Surface Mount
Mounting Type  
Surface Mount
Package / Case  
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Number of Pins  
8
Transistor Element Material  
SILICON
Number of Elements  
2
Turn Off Delay Time  
13 ns
Operating Temperature  
-55°C~150°C TJ
Packaging  
Tape & Reel (TR)
Series  
STripFET™ V
JESD-609 Code  
e4
Part Status  
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Number of Terminations  
8
ECCN Code  
EAR99
Resistance  
21MOhm
Terminal Finish  
Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au)
Max Power Dissipation  
2.5W
Terminal Form  
GULL WING
Peak Reflow Temperature (Cel)  
260
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)  
30
Base Part Number  
STS10
Pin Count  
8
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation  
2.5W
Turn On Delay Time  
4 ns
FET Type  
2 N-Channel (Dual)
Transistor Application  
SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
21m Ω @ 5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id  
1V @ 250μA
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
475pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
4.6nC @ 5V
Rise Time  
22ns
Drain to Source Voltage (Vdss)  
30V
Fall Time (Typ)  
2.8 ns
Continuous Drain Current (ID)  
10A
Gate to Source Voltage (Vgs)  
22V
Drain to Source Breakdown Voltage  
30V
Pulsed Drain Current-Max (IDM)  
40A
Avalanche Energy Rating (Eas)  
50 mJ
FET Technology  
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
FET Feature  
Logic Level Gate
Radiation Hardening  
No
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
Lead Free  
Lead Free
Suche nach Teilenummer:STS10DN3LH5 Enthaltenes Wort ist 5
Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
STS10DN3LH5 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC
STS7PF30L 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) P-Channel 30 V 0.021 Ohm Surface Mount STripFET II Power MosFet - SOIC-8
IRF7907TRPBF 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET 2N-CH 30V 9.1A/11A 8-SOIC
IRF7904TRPBF 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET 2N-CH 30V 7.6A/11A 8-SOIC
IRF7416GTRPBF 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) MOSFET P-CH 30V 10A 8-SOIC
Verwandte Teile in STS10DN3LH5
STS10DN3LH5 Verwandtes Stichwort.
  • STS10DN3LH5 Preis
  • STS10DN3LH5 Verteilers
  • STS10DN3LH5 Hersteller
  • STS10DN3LH5 Technische Daten
  • STS10DN3LH5 PDF
  • STS10DN3LH5 Datenblätter
  • STS10DN3LH5 Bild
  • STS10DN3LH5 Foto
  • STS10DN3LH5 Teil
  • STS10DN3LH5 Lagerbestand
  • STS10DN3LH5 Inventar
  • STS10DN3LH5 Angebotsanfrage
  • Kaufen STS10DN3LH5
  • STS10DN3LH5 Anfrage
  • STS10DN3LH5 Onlinebestellung
Häufig gestellte Fragen

What type of package does the STS100 combine two 1 Form A solid state relays and one optocoupler?

16-pin SOIC package

What is the name of the STS100?

Pulse dialing

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen
Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: MOSFET 2N-CH 30V 10A 8-SOIC
Verpackung: 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
Lagerbestand: 45000 Kann sofort geliefert werden
Stückpreis: aufrufen

Sie haben nicht den gewünschten Preis?
Füllen Sie die Formulare aus und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Zahlungsmethode

Die Gebühr wird gemäß den Regeln von PayPal erhoben.
Bei einer Überweisung fallen US$30,00 Bankgebühren an.
Die Gebühr wird gemäß den Regeln von PayPal erhoben.
Western Union erhebt eine Bankgebühr von US$0.00.

VERSANDKOSTEN

DHL(www.dhl.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.
UPS(www.ups.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.
FedEx(www.fedex.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.
Einschreiben(www.singpost.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.

Paket

Schritt1 Produkt
Schritt2 Gehäuse Drivepipe
Schritt3 Antistatikbeutel
Schritt4 Verpackungskartons
Schritt5 Barcode-Versandetikett

Neueste Produkte


Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays

Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays

Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
DC333A-A
Analog Devices Inc.
DC333A-A
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
DC644A
Analog Devices Inc.
LT5520EUF UPCON MIXER DEMO BOARD
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
DC945A
Analog Devices Inc.
LT5572EUF DEMO BOARD
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
DC1431A-C
Analog Devices Inc.
LTC5542IUH DEMO BOARD
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
G5S12010PM
Global Power Technology-GPT
DIODE SIL CARB 1.2KV 33A TO247AC
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
G5S6504Z
Global Power Technology-GPT
DIODE SIL CARB 650V 15.45A 8DFN
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
G4S06516BT
Global Power Technology-GPT
SIC SCHOTTKY DIODE 650V 16A 3-PI
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - Arrays
G3S06520A
Global Power Technology-GPT
DIODE SIC 650V 56.5A TO220AC
Mehr erfahren