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2STF2360 - STMicroelectronics

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-2STF2360

Hersteller Teil #: 2STF2360

Produktkategorie: Transistors - Bipolar (BJT) - Single

Hersteller: STMicroelectronics

Beschreibung: STMICROELECTRONICS 2STF2360Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 60 V, 130 MHz, 1.4 W, -3 A, 160

Verpackung: TO-243AA

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

2STF2360 Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)

Factory Lead Time

8 Weeks

Contact Plating

Tin

Mount

Surface Mount

Mounting Type

Surface Mount

Package / Case

TO-243AA

Number of Pins

Transistor Element Material

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

60V

Collector-Emitter Saturation Voltage

-300mV

Current-Collector (Ic) (Max)

Number of Elements

hFEMin

160

Operating Temperature

150°C TJ

Packaging

Tape & Reel (TR)

JESD-609 Code

Part Status

Active

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Number of Terminations

Termination

SMD/SMT

ECCN Code

EAR99

Max Power Dissipation

1.4W

Terminal Form

FLAT

Peak Reflow Temperature (Cel)

260

Frequency

130MHz

Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)

Base Part Number

2STF23

Pin Count

Element Configuration

Single

Power Dissipation

1.4W

Case Connection

COLLECTOR

Transistor Application

SWITCHING

Gain Bandwidth Product

130MHz

Polarity/Channel Type

PNP

Transistor Type

PNP

Collector Emitter Voltage (VCEO)

-60V

Max Collector Current

-3A

DC Current Gain (hFE) (Min) @ Ic, Vce

160 @ 1A 2V

Current - Collector Cutoff (Max)

100nA ICBO

Vce Saturation (Max) @ Ib, Ic

500mV @ 150mA, 3A

Transition Frequency

130MHz

Max Breakdown Voltage

60V

Collector Base Voltage (VCBO)

-60V

Emitter Base Voltage (VEBO)

-6V

Max Junction Temperature (Tj)

150°C

Height

1.6mm

Length

4.6mm

Width

2.6mm

REACH SVHC

No SVHC

Radiation Hardening

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Lead Free

Teilenummer	Paket	Beschreibung
2STF2360	TO-243AA	STMICROELECTRONICS 2STF2360Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 60 V, 130 MHz, 1.4 W, -3 A, 160
BCX5216TA	TO-243AA	TRANS PNP 60V 1A SOT89
2DA1797-13	TO-243AA	TRANS PNP 50V 3A SOT89-3
2SB1124T-TD-E	TO-243AA	TRANS PNP 50V 3A PCP
DPLS350Y-13	TO-243AA	Trans GP BJT PNP 50V 3A Automotive 4-Pin(3 Tab) SOT-89 T/R

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How does a PNP power transistor work?

In a PNP transistor, the base current which enters into the collector is amplified. The flow of current is typically controlled by the base. Current flows in the opposite direction in the base. In a PNP transistor, the emitter emits “holes”, and these holes are collected by the collector.

What is PNP and NPN transistor?

An NPN transistor has a piece of P-type silicon (the base) sandwiched between two pieces of N-type (the collector and emitter). In a PNP transistor, the type of the layers are reversed. Below is a typical cross section of a transistor.

What is the use of transistor?

A transistor can act as a switch or gate for electronic signals, opening and closing an electronic gate many times per second. It ensures the circuit is on if the current is flowing and switched off if it isn't. Transistors are used in complex switching circuits that comprise all modern telecommunications systems.

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: STMICROELECTRONICS 2STF2360Bipolar (BJT) Single Transistor, PNP, 60 V, 130 MHz, 1.4 W, -3 A, 160

Verpackung: TO-243AA

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

Datenblatt

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Stückpreis: 0.71539

Menge.	Stückpreis
1+:	$0.71539
10+:	$0.67490
100+:	$0.63669
500+:	$0.60066
1000+:	$0.56666

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