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PD57006STR-E - STMicroelectronics

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-PD57006STR-E

Hersteller Teil #: PD57006STR-E

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - RF

Hersteller: STMicroelectronics

Beschreibung: TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF

Verpackung: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads)

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

PD57006STR-E Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Factory Lead Time

25 Weeks

Mount

Surface Mount

Package / Case

PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads)

Number of Pins

Number of Elements

Packaging

Tape & Reel (TR)

JESD-609 Code

Part Status

Active

Moisture Sensitivity Level (MSL)

3 (168 Hours)

Number of Terminations

ECCN Code

EAR99

Terminal Finish

NICKEL PALLADIUM GOLD

Max Operating Temperature

165°C

Min Operating Temperature

-65°C

Max Power Dissipation

20W

Terminal Position

DUAL

Terminal Form

FLAT

Peak Reflow Temperature (Cel)

NOT SPECIFIED

Current Rating

Frequency

945MHz

Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)

NOT SPECIFIED

Base Part Number

PD57006

Pin Count

JESD-30 Code

R-PDSO-F2

Qualification Status

Not Qualified

Element Configuration

Single

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Power Dissipation

20W

Case Connection

SOURCE

Current - Test

70mA

Transistor Application

AMPLIFIER

Drain to Source Voltage (Vdss)

65V

Polarity/Channel Type

N-CHANNEL

Transistor Type

LDMOS

Continuous Drain Current (ID)

Gate to Source Voltage (Vgs)

20V

Gain

15dB

Max Output Power

Drain Current-Max (Abs) (ID)

Drain to Source Breakdown Voltage

65V

FET Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Voltage - Test

28V

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Teilenummer	Paket	Beschreibung
PD57006STR-E	PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads)	TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
PD57006-E	PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)	FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10
ZXMN6A07FTA	TO-236-3, SC-59, SOT-23-3	ZXMN6A07F Series 60 V 0.25 Ohm N-Channel Enhancement Mode MOSFET - SOT-23-3
PD57006S-E	PowerSO-10 Exposed Bottom Pad	FET RF 65V 945MHZ PWRSO-10

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF

Verpackung: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads)

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

Datenblatt

Lagerbestand: 19080 Kann sofort geliefert werden

Stückpreis: aufrufen

Menge.	Stückpreis
1+:	$0.00000
10+:	$0.00000
100+:	$0.00000
500+:	$0.00000
1000+:	$0.00000

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