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PD20010-E - STMicroelectronics

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-PD20010-E

Hersteller Teil #: PD20010-E

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - RF

Hersteller: STMicroelectronics

Beschreibung: Trans RF MOSFET N-CH 40V 5A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube

Verpackung: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

PD20010-E Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Lifecycle Status

ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)

Factory Lead Time

25 Weeks

Mount

Surface Mount

Package / Case

PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)

Number of Pins

Number of Elements

Packaging

Tube

Part Status

Active

Moisture Sensitivity Level (MSL)

3 (168 Hours)

Number of Terminations

ECCN Code

EAR99

Max Operating Temperature

165°C

Min Operating Temperature

-65°C

Additional Feature

ESD PROTECTION, HIGH RELIABILITY

Max Power Dissipation

59W

Terminal Position

DUAL

Terminal Form

GULL WING

Peak Reflow Temperature (Cel)

NOT SPECIFIED

Current Rating

Frequency

2GHz

Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)

NOT SPECIFIED

Base Part Number

PD20010

Pin Count

JESD-30 Code

R-PDSO-G2

Qualification Status

Not Qualified

Element Configuration

Single

Operating Mode

ENHANCEMENT MODE

Power Dissipation

59W

Case Connection

SOURCE

Current - Test

150mA

Transistor Application

AMPLIFIER

Drain to Source Voltage (Vdss)

40V

Polarity/Channel Type

N-CHANNEL

Transistor Type

LDMOS

Continuous Drain Current (ID)

Gate to Source Voltage (Vgs)

15V

Gain

11dB

Max Output Power

15W

Drain Current-Max (Abs) (ID)

Drain to Source Breakdown Voltage

40V

Power - Output

10W

FET Technology

METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR

Voltage - Test

13.6V

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Teilenummer	Paket	Beschreibung
PD20010-E	PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)	Trans RF MOSFET N-CH 40V 5A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube
PD85015TR-E	PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)	TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
PD85015STR-E	PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads)	TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
PD20010TR-E	PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)	TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF FORM
NIF62514T1G	TO-261-4, TO-261AA	MOSFET N-CH HD 6A 40V SOT223

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: Trans RF MOSFET N-CH 40V 5A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube

Verpackung: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

Datenblatt

Lagerbestand: 465 Kann sofort geliefert werden

Stückpreis: aufrufen

Menge.	Stückpreis
1+:	$0.00000
10+:	$0.00000
100+:	$0.00000
500+:	$0.00000
1000+:	$0.00000

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