PD20010-E - STMicroelectronics

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-PD20010-E
Hersteller Teil #: PD20010-E
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - RF
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: Trans RF MOSFET N-CH 40V 5A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube
Verpackung: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Lifecycle Status  
ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
Factory Lead Time  
25 Weeks
Mount  
Surface Mount
Package / Case  
PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
Number of Pins  
3
Number of Elements  
1
Packaging  
Tube
Part Status  
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
3 (168 Hours)
Number of Terminations  
2
ECCN Code  
EAR99
Max Operating Temperature  
165°C
Min Operating Temperature  
-65°C
Additional Feature  
ESD PROTECTION, HIGH RELIABILITY
Max Power Dissipation  
59W
Terminal Position  
DUAL
Terminal Form  
GULL WING
Peak Reflow Temperature (Cel)  
NOT SPECIFIED
Current Rating  
5A
Frequency  
2GHz
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)  
NOT SPECIFIED
Base Part Number  
PD20010
Pin Count  
10
JESD-30 Code  
R-PDSO-G2
Qualification Status  
Not Qualified
Element Configuration  
Single
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation  
59W
Case Connection  
SOURCE
Current - Test  
150mA
Transistor Application  
AMPLIFIER
Drain to Source Voltage (Vdss)  
40V
Polarity/Channel Type  
N-CHANNEL
Transistor Type  
LDMOS
Continuous Drain Current (ID)  
5A
Gate to Source Voltage (Vgs)  
15V
Gain  
11dB
Max Output Power  
15W
Drain Current-Max (Abs) (ID)  
5A
Drain to Source Breakdown Voltage  
40V
Power - Output  
10W
FET Technology  
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Voltage - Test  
13.6V
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
Suche nach Teilenummer:PD20010-E Enthaltenes Wort ist 5
Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
PD20010-E PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) Trans RF MOSFET N-CH 40V 5A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube
PD85015TR-E PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
PD85015STR-E PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads) TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
PD20010TR-E PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF FORM
NIF62514T1G TO-261-4, TO-261AA MOSFET N-CH HD 6A 40V SOT223
Verwandte Teile in PD20010-E
PD20010-E Verwandtes Stichwort.
  • PD20010-E Preis
  • PD20010-E Verteilers
  • PD20010-E Hersteller
  • PD20010-E Technische Daten
  • PD20010-E PDF
  • PD20010-E Datenblätter
  • PD20010-E Bild
  • PD20010-E Foto
  • PD20010-E Teil
  • PD20010-E Lagerbestand
  • PD20010-E Inventar
  • PD20010-E Angebotsanfrage
  • Kaufen PD20010-E
  • PD20010-E Anfrage
  • PD20010-E Onlinebestellung
Häufig gestellte Fragen

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen
Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: Trans RF MOSFET N-CH 40V 5A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube
Verpackung: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
Lagerbestand: 465 Kann sofort geliefert werden
Stückpreis: aufrufen

Sie haben nicht den gewünschten Preis?
Füllen Sie die Formulare aus und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Zahlungsmethode

Die Gebühr wird gemäß den Regeln von PayPal erhoben.
Bei einer Überweisung fallen US$30,00 Bankgebühren an.
Die Gebühr wird gemäß den Regeln von PayPal erhoben.
Western Union erhebt eine Bankgebühr von US$0.00.

VERSANDKOSTEN

DHL(www.dhl.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.
UPS(www.ups.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.
FedEx(www.fedex.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.
Einschreiben(www.singpost.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.

Paket

Schritt1 Produkt
Schritt2 Gehäuse Drivepipe
Schritt3 Antistatikbeutel
Schritt4 Verpackungskartons
Schritt5 Barcode-Versandetikett

Neueste Produkte


Transistors - FETs, MOSFETs - RF
STEVAL-TDR016V1
STMicroelectronics
Evaluation Board Based On PD55015-E 30 W, 155 - 165 MHz
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - RF
ML51LD1AE
Nuvoton
64KB FLASH ROM, 4KB SRAM, 2 CHS
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - RF
NUC980DR63YC
Nuvoton
IC MPU ARM9 64MB DDR-II MEMORYLQ
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - RF
FKC05-24S15
Astrodyne TDI Power Supplies & EMI Filters
DC-DC Regulated Power Supply Module, 1 Output, 5W, Hybrid, DIP-23/10
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - RF
PIC12F675T-E/MD
Microchip Technology Inc
8-BIT, FLASH, 20 MHz, RISC MICROCONTROLLER, PDSO8, 4 X 4 MM, 0.90 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, DFN-8
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - RF
PMBFJ210
NXP Semiconductors
TRANSISTOR 25 V, N-CHANNEL, Si, SMALL SIGNAL, JFET, PLASTIC, SOT-23, 3 PIN, FET General Purpose Small Signal
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - RF
TS80C188EB-8
Intel Corporation
RISC Microprocessor, 16-Bit, 8MHz, CMOS, PQFP80,
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - RF
TA48M033F
Toshiba America Electronic Components
IC VREG 3.3 V FIXED POSITIVE LDO REGULATOR, 0.65 V DROPOUT, PSIP3, 2.30 MM PITCH, LEAD FREE, PLASTIC, HSIP-3, Fixed Positive Single Output LDO Regulator
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - RF
S3L60
Shindengen Electronic Manufacturing Co Ltd
Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 1.8A, 600V V(RRM), Silicon, AX14, 2 PIN
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - RF
TC7SH14FU
Toshiba America Electronic Components
IC HC/UH SERIES, 1-INPUT INVERT GATE, PDSO5, 0.65 MM PITCH, PLASTIC, SSOP-5, Gate
Mehr erfahren