PD20010-E - STMicroelectronics
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Kynix Teil #: KY13-PD20010-E
Hersteller Teil #: PD20010-E
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - RF
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: Trans RF MOSFET N-CH 40V 5A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube
Verpackung: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: 
PD20010-E Datenblatt
PD20010-E Datenblatt
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
Factory Lead Time
25 Weeks
Mount
Surface Mount
Package / Case
PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
Number of Pins
3
Number of Elements
1
Packaging
Tube
Part Status
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)
3 (168 Hours)
Number of Terminations
2
ECCN Code
EAR99
Max Operating Temperature
165°C
Min Operating Temperature
-65°C
Additional Feature
ESD PROTECTION, HIGH RELIABILITY
Max Power Dissipation
59W
Terminal Position
DUAL
Terminal Form
GULL WING
Peak Reflow Temperature (Cel)
NOT SPECIFIED
Current Rating
5A
Frequency
2GHz
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)
NOT SPECIFIED
Base Part Number
PD20010
Pin Count
10
JESD-30 Code
R-PDSO-G2
Qualification Status
Not Qualified
Element Configuration
Single
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation
59W
Case Connection
SOURCE
Current - Test
150mA
Transistor Application
AMPLIFIER
Drain to Source Voltage (Vdss)
40V
Polarity/Channel Type
N-CHANNEL
Transistor Type
LDMOS
Continuous Drain Current (ID)
5A
Gate to Source Voltage (Vgs)
15V
Gain
11dB
Max Output Power
15W
Drain Current-Max (Abs) (ID)
5A
Drain to Source Breakdown Voltage
40V
Power - Output
10W
FET Technology
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Voltage - Test
13.6V
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Suche nach Teilenummer:PD20010-E Enthaltenes Wort ist 5
| Telefon | Teilenummer | Paket | Beschreibung |
|---|---|---|---|
| PD20010-E | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) | Trans RF MOSFET N-CH 40V 5A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube | |
| PD85015TR-E | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) | TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF | |
| PD85015STR-E | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads) | TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF | |
| PD20010TR-E | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) | TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF FORM | |
| NIF62514T1G | TO-261-4, TO-261AA | MOSFET N-CH HD 6A 40V SOT223 |
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: Trans RF MOSFET N-CH 40V 5A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube
Verpackung: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt:
Datenblatt
Datenblatt
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Paket
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