PD20015-E - STMicroelectronics
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Kynix Teil #: KY13-PD20015-E
Hersteller Teil #: PD20015-E
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - RF
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: TRANS RF PWR N-CH POWERSO-10RF
Verpackung: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: 
PD20015-E Datenblatt
PD20015-E Datenblatt
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
Factory Lead Time
25 Weeks
Mount
Surface Mount
Package / Case
PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
Number of Pins
3
Number of Elements
1
Packaging
Tube
Part Status
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)
3 (168 Hours)
Number of Terminations
2
ECCN Code
EAR99
Max Operating Temperature
165°C
Min Operating Temperature
-65°C
Additional Feature
HIGH RELIABILITY
Max Power Dissipation
79W
Terminal Position
DUAL
Terminal Form
GULL WING
Current Rating
7A
Frequency
2GHz
Base Part Number
PD20015
Pin Count
10
JESD-30 Code
R-PDFM-G2
Element Configuration
Single
Operating Mode
ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation
79W
Case Connection
SOURCE
Current - Test
350mA
Transistor Application
AMPLIFIER
Drain to Source Voltage (Vdss)
40V
Polarity/Channel Type
N-CHANNEL
Transistor Type
LDMOS
Continuous Drain Current (ID)
7A
Gate to Source Voltage (Vgs)
15V
Gain
11dB
Max Output Power
23W
Drain Current-Max (Abs) (ID)
7A
Drain to Source Breakdown Voltage
40V
Power - Output
15W
FET Technology
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Voltage - Test
13.6V
Radiation Hardening
No
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Suche nach Teilenummer:PD20015-E Enthaltenes Wort ist 5
| Telefon | Teilenummer | Paket | Beschreibung |
|---|---|---|---|
| PD20015-E | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) | TRANS RF PWR N-CH POWERSO-10RF | |
| FDD4685 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | ON SEMICONDUCTOR - FDD4685 - MOSFET Transistor, P Channel, 8.4 mA, -40 V, 0.023 ohm, 10 V, 1.6 V | |
| PD85035STR-E | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads) | Trans RF MOSFET N-CH 40V 8A 3-Pin PowerSO-10RF (Straight lead) T/R | |
| PD85035S-E | PowerSO-10 Exposed Bottom Pad | FET RF 40V 870MHZ | |
| PD84010-E | PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) | FET RF 40V 870MHZ |
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: TRANS RF PWR N-CH POWERSO-10RF
Verpackung: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads)
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt:
Datenblatt
Datenblatt
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