PD20010S-E - STMicroelectronics

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-PD20010S-E
Hersteller Teil #: PD20010S-E
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - RF
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
Verpackung: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads)
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Mount  
Surface Mount
Package / Case  
PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads)
Number of Pins  
3
Number of Elements  
1
Packaging  
Tube
Part Status  
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
3 (168 Hours)
Number of Terminations  
2
ECCN Code  
EAR99
Max Operating Temperature  
165°C
Min Operating Temperature  
-65°C
Additional Feature  
ESD PROTECTION, HIGH RELIABILITY
Max Power Dissipation  
59W
Terminal Position  
DUAL
Terminal Form  
FLAT
Peak Reflow Temperature (Cel)  
NOT SPECIFIED
Current Rating  
5A
Frequency  
2GHz
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)  
NOT SPECIFIED
Base Part Number  
PD20010
Pin Count  
10
JESD-30 Code  
R-PDFP-F2
Qualification Status  
Not Qualified
Element Configuration  
Single
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation  
59W
Case Connection  
SOURCE
Current - Test  
150mA
Transistor Application  
AMPLIFIER
Drain to Source Voltage (Vdss)  
40V
Polarity/Channel Type  
N-CHANNEL
Transistor Type  
LDMOS
Continuous Drain Current (ID)  
5A
Gate to Source Voltage (Vgs)  
15V
Gain  
11dB
Max Output Power  
15W
Drain Current-Max (Abs) (ID)  
5A
Drain to Source Breakdown Voltage  
40V
Power - Output  
10W
FET Technology  
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Voltage - Test  
13.6V
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
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Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
PD20010S-E PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads) TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
NIF62514T3G TO-261-4, TO-261AA IC FET VOLT CLAMP 6A 40V SOT-223
PD20010-E PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) Trans RF MOSFET N-CH 40V 5A 3-Pin PowerSO-10RF (Formed lead) Tube
PD20010TR-E PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF FORM
PD20010STR-E PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads) TRANS N-CH 40V POWERSO-10RF STR
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: TRANS RF N-CH FET POWERSO-10RF
Verpackung: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads)
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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