PD85025STR-E - STMicroelectronics

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-PD85025STR-E
Hersteller Teil #: PD85025STR-E
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - RF
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: Trans RF MOSFET N-CH 40V 7A 3-Pin PowerSO-10RF (Straight lead) T/R
Verpackung: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads)
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Mount  
Surface Mount
Package / Case  
PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads)
Number of Pins  
3
Number of Elements  
1
Packaging  
Tape & Reel (TR)
JESD-609 Code  
e3
Part Status  
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
3 (168 Hours)
Number of Terminations  
2
ECCN Code  
EAR99
Terminal Finish  
Matte Tin (Sn)
Max Operating Temperature  
165°C
Min Operating Temperature  
-65°C
Max Power Dissipation  
79W
Terminal Position  
DUAL
Terminal Form  
FLAT
Peak Reflow Temperature (Cel)  
NOT SPECIFIED
Reach Compliance Code  
not_compliant
Current Rating  
7A
Frequency  
870MHz
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)  
NOT SPECIFIED
Base Part Number  
PD85025
Pin Count  
10
JESD-30 Code  
R-PDSO-F2
Qualification Status  
Not Qualified
Element Configuration  
Single
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation  
79W
Case Connection  
SOURCE
Current - Test  
300mA
Transistor Application  
AMPLIFIER
Drain to Source Voltage (Vdss)  
40V
Polarity/Channel Type  
N-CHANNEL
Transistor Type  
LDMOS
Continuous Drain Current (ID)  
7A
Gate to Source Voltage (Vgs)  
15V
Gain  
17.3dB
Max Output Power  
30W
Drain Current-Max (Abs) (ID)  
7A
Drain to Source Breakdown Voltage  
40V
Power - Output  
10W
FET Technology  
METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
Voltage - Test  
13.6V
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
Suche nach Teilenummer:PD85025STR-E Enthaltenes Wort ist 5
Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
PD85025STR-E PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads) Trans RF MOSFET N-CH 40V 7A 3-Pin PowerSO-10RF (Straight lead) T/R
FDD4685 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 ON SEMICONDUCTOR - FDD4685 - MOSFET Transistor, P Channel, 8.4 mA, -40 V, 0.023 ohm, 10 V, 1.6 V
PD85025-E PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) FET RF 40V 870MHZ
PD20015-E PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) TRANS RF PWR N-CH POWERSO-10RF
PD84010-E PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Formed Leads) FET RF 40V 870MHZ
Verwandte Teile in PD85025STR-E
PD85025STR-E Verwandtes Stichwort.
  • PD85025STR-E Preis
  • PD85025STR-E Verteilers
  • PD85025STR-E Hersteller
  • PD85025STR-E Technische Daten
  • PD85025STR-E PDF
  • PD85025STR-E Datenblätter
  • PD85025STR-E Bild
  • PD85025STR-E Foto
  • PD85025STR-E Teil
  • PD85025STR-E Lagerbestand
  • PD85025STR-E Inventar
  • PD85025STR-E Angebotsanfrage
  • Kaufen PD85025STR-E
  • PD85025STR-E Anfrage
  • PD85025STR-E Onlinebestellung
Häufig gestellte Fragen

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen
Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: Trans RF MOSFET N-CH 40V 7A 3-Pin PowerSO-10RF (Straight lead) T/R
Verpackung: PowerSO-10RF Exposed Bottom Pad (2 Straight Leads)
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
Lagerbestand: 10 Kann sofort geliefert werden
Stückpreis: aufrufen

Sie haben nicht den gewünschten Preis?
Füllen Sie die Formulare aus und wir werden Sie so schnell wie möglich kontaktieren.

Zahlungsmethode

Die Gebühr wird gemäß den Regeln von PayPal erhoben.
Bei einer Überweisung fallen US$30,00 Bankgebühren an.
Die Gebühr wird gemäß den Regeln von PayPal erhoben.
Western Union erhebt eine Bankgebühr von US$0.00.

VERSANDKOSTEN

DHL(www.dhl.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.
UPS(www.ups.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.
FedEx(www.fedex.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.
Einschreiben(www.singpost.com)
Ab $40.00 Grundgebühr für den Versand, abhängig von Zone und Land.

Paket

Schritt1 Produkt
Schritt2 Gehäuse Drivepipe
Schritt3 Antistatikbeutel
Schritt4 Verpackungskartons
Schritt5 Barcode-Versandetikett

Neueste Produkte


Transistors - FETs, MOSFETs - RF

Transistors - FETs, MOSFETs - RF

Transistors - FETs, MOSFETs - RF
DC333A-A
Analog Devices Inc.
DC333A-A
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - RF
DC644A
Analog Devices Inc.
LT5520EUF UPCON MIXER DEMO BOARD
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - RF
DC945A
Analog Devices Inc.
LT5572EUF DEMO BOARD
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - RF
DC1431A-C
Analog Devices Inc.
LTC5542IUH DEMO BOARD
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - RF
G5S12010PM
Global Power Technology-GPT
DIODE SIL CARB 1.2KV 33A TO247AC
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - RF
G5S6504Z
Global Power Technology-GPT
DIODE SIL CARB 650V 15.45A 8DFN
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - RF
G4S06516BT
Global Power Technology-GPT
SIC SCHOTTKY DIODE 650V 16A 3-PI
Mehr erfahren

Transistors - FETs, MOSFETs - RF
G3S06520A
Global Power Technology-GPT
DIODE SIC 650V 56.5A TO220AC
Mehr erfahren