STGD5H60DF - STMicroelectronics
Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen
Kynix Teil #: KY13-STGD5H60DF
Hersteller Teil #: STGD5H60DF
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S
Verpackung: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: 
STGD5H60DF Datenblatt
STGD5H60DF Datenblatt
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
Factory Lead Time
20 Weeks
Mount
Surface Mount
Mounting Type
Surface Mount
Package / Case
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600V
Test Conditions
400V, 5A, 47 Ω, 15V
Operating Temperature
-55°C~175°C TJ
Packaging
Tape & Reel (TR)
Part Status
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN Code
EAR99
Max Power Dissipation
83W
Peak Reflow Temperature (Cel)
NOT SPECIFIED
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)
NOT SPECIFIED
Base Part Number
STGD5
Input Type
Standard
Power - Max
83W
Collector Emitter Voltage (VCEO)
1.95V
Max Collector Current
10A
Reverse Recovery Time
134.5 ns
Max Breakdown Voltage
600V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.95V @ 15V, 5A
IGBT Type
Trench Field Stop
Gate Charge
43nC
Current - Collector Pulsed (Icm)
20A
Td (on/off) @ 25°C
30ns/140ns
Switching Energy
56μJ (on), 78.5μJ (off)
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Suche nach Teilenummer:STGD5H60DF Enthaltenes Wort ist 5
| Telefon | Teilenummer | Paket | Beschreibung |
|---|---|---|---|
| STGD5H60DF | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S | |
| IGD06N60TATMA1 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | IGBT 600V 12A 88W TO252-3 | |
| IKD06N60RFATMA1 | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | IGBT 600V 12A 100W PG-TO252-3 | |
| IRGR4607DPBF | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | IGBT 600V 11A 58W DPAK | |
| IRG4RC10UPBF | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 | IGBT 600V 8.5A 38W DPAK |
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Häufig gestellte Fragen
What are IGBT transistors used for?
The IGBT combines an isolated-gate FET for the control input and a bipolar power transistor as a switch in a single device. The IGBT is used in medium to high-power applications like switched-mode power supplies, traction motor control and induction heating.
What is the working principle of IGBT?
IGBT requires only a small voltage to maintain conduction in the device unlike in BJT. The IGBT is a unidirectional device, that is, it can only switch ON in the forward direction. This means current flows from the collector to the emitter unlike in MOSFETs, which are bi-directional.
Where is IGBT used?
IGBTs are widely used as switching devices in the inverter circuit (for DC-to-AC conversion) for driving small to large motors. IGBTs for inverter applications are used in home appliances such as air conditioners and refrigerators, industrial motors, and automotive main motor controllers to improve their efficiency.
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: TRENCH GATE FIELD-STOP IGBT, H S
Verpackung: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt:
Datenblatt
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Lagerbestand: 30000 Kann sofort geliefert werden
Stückpreis: 1.76308
| Menge. | Stückpreis |
|---|---|
| 1+: | $1.76308 |
| 10+: | $1.66328 |
| 100+: | $1.56914 |
| 500+: | $1.48032 |
| 1000+: | $1.39653 |
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