FGH60N60SMD - ON Semiconductor

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-FGH60N60SMD
Hersteller Teil #: FGH60N60SMD
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Hersteller: ON Semiconductor
Beschreibung: IGBT 600V 120A 600W TO247
Verpackung: TO-247-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Lifecycle Status  
ACTIVE (Last Updated: 5 days ago)
Factory Lead Time  
5 Weeks
Contact Plating  
Tin
Mount  
Through Hole
Mounting Type  
Through Hole
Package / Case  
TO-247-3
Number of Pins  
3
Weight  
6.39g
Transistor Element Material  
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
600V
Collector-Emitter Saturation Voltage  
1.9V
Number of Elements  
1
Test Conditions  
400V, 60A, 3 Ω, 15V
Turn Off Delay Time  
146 ns
Operating Temperature  
-55°C~175°C TJ
Packaging  
Tube
Published  
2013
JESD-609 Code  
e3
Pbfree Code  
yes
Part Status  
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Number of Terminations  
3
ECCN Code  
EAR99
Additional Feature  
LOW CONDUCTION LOSS
HTS Code  
8541.29.00.95
Max Power Dissipation  
600W
Base Part Number  
FGH60N60
Rise Time-Max  
70ns
Element Configuration  
Single
Case Connection  
COLLECTOR
Input Type  
Standard
Turn On Delay Time  
27 ns
Power - Max  
600W
Transistor Application  
POWER CONTROL
Polarity/Channel Type  
N-CHANNEL
Collector Emitter Voltage (VCEO)  
600V
Max Collector Current  
120A
Reverse Recovery Time  
39 ns
JEDEC-95 Code  
TO-247AB
Turn On Time  
59 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic  
2.5V @ 15V, 60A
Turn Off Time-Nom (toff)  
163 ns
IGBT Type  
Field Stop
Gate Charge  
189nC
Current - Collector Pulsed (Icm)  
180A
Td (on/off) @ 25°C  
18ns/104ns
Switching Energy  
1.26mJ (on), 450μJ (off)
Gate-Emitter Voltage-Max  
20V
Gate-Emitter Thr Voltage-Max  
6V
Fall Time-Max (tf)  
68ns
Height  
20.6mm
Length  
15.6mm
Width  
4.7mm
REACH SVHC  
No SVHC
Radiation Hardening  
No
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
Lead Free  
Lead Free
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Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
FGH60N60SMD TO-247-3 IGBT 600V 120A 600W TO247
STGW50H60DF TO-247-3 IGBT Transistors 50A 600V FST IGBT Ultrafast Diode
STGW80H65DFB TO-247-3 Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube
NGTB50N60S1WG TO-247-3 ON SEMICONDUCTOR NGTB50N60S1WG IGBT Single Transistor, 100 A, 1.8 V, 417 W, 600 V, TO-247, 3 Pins
NGTB45N60S1WG TO-247-3 ON SEMICONDUCTOR NGTB45N60S1WG IGBT Single Transistor, 90 A, 2 V, 300 W, 600 V, TO-247, 3 Pins
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: IGBT 600V 120A 600W TO247
Verpackung: TO-247-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
Lagerbestand: 32365 Kann sofort geliefert werden
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