STGWA45HF60WDI - STMicroelectronics
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Kynix Teil #: KY13-STGWA45HF60WDI
Hersteller Teil #: STGWA45HF60WDI
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube
Verpackung: TO-247-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: 
STGWA45HF60WDI Datenblatt
STGWA45HF60WDI Datenblatt
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Mount
Through Hole
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-247-3
Weight
6.500007g
Transistor Element Material
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.9V
Number of Elements
1
Test Conditions
400V, 30A, 4.7 Ω, 15V
Turn Off Delay Time
145 ns
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Packaging
Tube
JESD-609 Code
e3
Part Status
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Number of Terminations
3
ECCN Code
EAR99
Terminal Finish
Tin (Sn)
Max Power Dissipation
310W
Base Part Number
STGW45
Pin Count
3
JESD-30 Code
R-PSFM-T3
Element Configuration
Single
Input Type
Standard
Turn On Delay Time
30 ns
Power - Max
310W
Transistor Application
POWER CONTROL
Polarity/Channel Type
N-CHANNEL
Collector Emitter Voltage (VCEO)
600V
Max Collector Current
80A
Reverse Recovery Time
90 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.5V @ 15V, 30A
Gate Charge
160nC
Current - Collector Pulsed (Icm)
150A
Td (on/off) @ 25°C
-/145ns
Switching Energy
330μJ (off)
Gate-Emitter Voltage-Max
20V
Gate-Emitter Thr Voltage-Max
5.75V
Radiation Hardening
No
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Lead Free
Lead Free
Suche nach Teilenummer:STGWA45HF60WDI Enthaltenes Wort ist 5
| Telefon | Teilenummer | Paket | Beschreibung |
|---|---|---|---|
| STGWA45HF60WDI | TO-247-3 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube | |
| FGH40N60SMDF | TO-247-3 | FAIRCHILD SEMICONDUCTOR FGH40N60SMDF IGBT Single Transistor, General Purpose, 80 A, 600 V, 349 W, 600 V, TO-247AB, 3 Pins | |
| STGW60V60DF | TO-247-3 | IGBT 600V 80A 375W TO247 | |
| NGTB40N60L2WG | TO-247-3 | ON SEMICONDUCTOR NGTB40N60L2WG IGBT Single Transistor, 80 A, 2 V, 417 W, 600 V, TO-247, 3 Pins | |
| NGTB35N60FL2WG | TO-247-3 | ON SEMICONDUCTOR NGTB35N60FL2WGIGBT Single Transistor, 70 A, 1.7 V, 300 W, 600 V, TO-247, 3 Pins |
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What is a low CRES / CIES ratio?
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: Trans IGBT Chip N-CH 600V 80A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube
Verpackung: TO-247-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt:
Datenblatt
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Lagerbestand: 510 Kann sofort geliefert werden
Stückpreis: 5.47293
| Menge. | Stückpreis |
|---|---|
| 1+: | $5.47293 |
| 10+: | $5.16314 |
| 100+: | $4.87089 |
| 500+: | $4.59518 |
| 1000+: | $4.33508 |
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