STGW60H65DRF - STMicroelectronics
Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen
Kynix Teil #: KY13-STGW60H65DRF
Hersteller Teil #: STGW60H65DRF
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: IGBT Transistors 60A 650V Field Stop Trench Gate IBGT
Verpackung: TO-247-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: 
STGW60H65DRF Datenblatt
STGW60H65DRF Datenblatt
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
Factory Lead Time
32 Weeks
Mount
Through Hole
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-247-3
Weight
6.500007g
Collector-Emitter Breakdown Voltage
650V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.9V
Test Conditions
400V, 60A, 10 Ω, 15V
Operating Temperature
-55°C~175°C TJ
Packaging
Tube
JESD-609 Code
e3
Part Status
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN Code
EAR99
Terminal Finish
Tin (Sn)
Max Power Dissipation
420W
Base Part Number
STGW60
Element Configuration
Single
Input Type
Standard
Power - Max
420W
Polarity/Channel Type
N-CHANNEL
Collector Emitter Voltage (VCEO)
650V
Max Collector Current
120A
Reverse Recovery Time
19 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2.4V @ 15V, 60A
IGBT Type
Trench Field Stop
Gate Charge
217nC
Current - Collector Pulsed (Icm)
240A
Td (on/off) @ 25°C
85ns/178ns
Switching Energy
940μJ (on), 1.06mJ (off)
Gate-Emitter Voltage-Max
20V
Radiation Hardening
No
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Lead Free
Lead Free
Suche nach Teilenummer:STGW60H65DRF Enthaltenes Wort ist 5
| Telefon | Teilenummer | Paket | Beschreibung |
|---|---|---|---|
| STGW60H65DRF | TO-247-3 | IGBT Transistors 60A 650V Field Stop Trench Gate IBGT | |
| FGH60N60SMD | TO-247-3 | IGBT 600V 120A 600W TO247 | |
| STGW80H65DFB | TO-247-3 | Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube | |
| FGH75T65SHDTL4 | TO-247-4 | IGBT Transistors FS3 TIGBT Excellent switching performan | |
| IGW75N65H5XKSA1 | TO-247-3 | Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 3-Pin TO-247 Tube |
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What is an IGBT developed using?
trench gate and field stop structure
What new series of IGBTs represent an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of any frequency converter?
HB
How many Abr>• Tight parameters distributionbr>• Safe parallelingbr>• Low thermal resistancebr
60
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: IGBT Transistors 60A 650V Field Stop Trench Gate IBGT
Verpackung: TO-247-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
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Datenblatt
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Paket
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