STGW15M120DF3 - STMicroelectronics

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Kynix Teil #: KY13-STGW15M120DF3
Hersteller Teil #: STGW15M120DF3
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: STMICROELECTRONICS STGW15M120DF3 IGBT Single Transistor, 30 A, 1.85 V, 259 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pins
Verpackung: TO-247-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Lifecycle Status  
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
Factory Lead Time  
30 Weeks
Mount  
Through Hole
Mounting Type  
Through Hole
Package / Case  
TO-247-3
Number of Pins  
3
Weight  
38.000013g
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
1.2kV
Collector-Emitter Saturation Voltage  
1.85V
Test Conditions  
600V, 15A, 22 Ω, 15V
Operating Temperature  
-55°C~175°C TJ
Packaging  
Tube
Part Status  
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
ECCN Code  
EAR99
Max Power Dissipation  
259W
Peak Reflow Temperature (Cel)  
NOT SPECIFIED
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)  
NOT SPECIFIED
Base Part Number  
STGW15
Element Configuration  
Single
Input Type  
Standard
Power - Max  
259W
Collector Emitter Voltage (VCEO)  
1.2kV
Max Collector Current  
30A
Reverse Recovery Time  
270 ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  
1200V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic  
2.3V @ 15V, 15A
IGBT Type  
Trench Field Stop
Gate Charge  
226nC
Current - Collector Pulsed (Icm)  
60A
Td (on/off) @ 25°C  
26ns/122ns
Switching Energy  
550μJ (on), 850μJ (off)
REACH SVHC  
No SVHC
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
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Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
STGW15M120DF3 TO-247-3 STMICROELECTRONICS STGW15M120DF3 IGBT Single Transistor, 30 A, 1.85 V, 259 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pins
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Häufig gestellte Fragen

What type of structure is the IGBT developed using?

trench gate field-stop

What series of IGBTs is the device part of?

M series of IGBTs

What results in safer paralleling operation?

VCE(sat) temperature coefficient and tight parameter distribution

How many Abr>• Tight parameters distributionbr>• Safer parallelingbr>• Low thermal resistanceb

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: STMICROELECTRONICS STGW15M120DF3 IGBT Single Transistor, 30 A, 1.85 V, 259 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pins
Verpackung: TO-247-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
Lagerbestand: 496 Kann sofort geliefert werden
Stückpreis: 4.01253
Menge. Stückpreis
1+: $4.01253
10+: $3.78541
100+: $3.57114
500+: $3.36900
1000+: $3.17830
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