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IXA33IF1200HB - IXYS

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-IXA33IF1200HB

Hersteller Teil #: IXA33IF1200HB

Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single

Hersteller: IXYS

Beschreibung: IXYS SEMICONDUCTOR IXA33IF1200HB IGBT Single Transistor, 58 A, 2.1 V, 250 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 Pins

Verpackung: TO-247-3

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

datasheet

IXA33IF1200HB Datenblatt

Attribute

Attribute Value

Mount

Through Hole

Mounting Type

Through Hole

Package / Case

TO-247-3

Number of Pins

3

Transistor Element Material

SILICON

Collector-Emitter Breakdown Voltage

1.2kV

Collector-Emitter Saturation Voltage

1.8V

Number of Elements

1

Test Conditions

600V, 25A, 39 Ω, 15V

Operating Temperature

-40°C~150°C TJ

Packaging

Tube

Published

2001

JESD-609 Code

e1

Pbfree Code

yes

Part Status

Active

Moisture Sensitivity Level (MSL)

1 (Unlimited)

Number of Terminations

3

ECCN Code

EAR99

Terminal Finish

TIN SILVER COPPER

Additional Feature

LOW CONDUCTION LOSS

Max Power Dissipation

250W

Peak Reflow Temperature (Cel)

NOT SPECIFIED

Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)

NOT SPECIFIED

Pin Count

3

Qualification Status

Not Qualified

Element Configuration

Single

Power Dissipation

250W

Input Type

Standard

Transistor Application

POWER CONTROL

Polarity/Channel Type

N-CHANNEL

Collector Emitter Voltage (VCEO)

1.2kV

Max Collector Current

58A

Reverse Recovery Time

350ns

JEDEC-95 Code

TO-247AD

Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)

1200V

Turn On Time

110 ns

Vce(on) (Max) @ Vge, Ic

2.1V @ 15V, 25A

Turn Off Time-Nom (toff)

350 ns

IGBT Type

PT

Gate Charge

76nC

Switching Energy

2.5mJ (on), 3mJ (off)

Gate-Emitter Voltage-Max

20V

Gate-Emitter Thr Voltage-Max

6.5V

Height

21.45mm

Length

16.24mm

Width

5.3mm

REACH SVHC

No SVHC

RoHS Status

ROHS3 Compliant

Telefon	Teilenummer	Paket	Beschreibung
	IXA33IF1200HB	TO-247-3	IXYS SEMICONDUCTOR IXA33IF1200HB IGBT Single Transistor, 58 A, 2.1 V, 250 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 Pins
	IRG4PH50SPBF	TO-247-3	IGBT 1200V 57A 200W TO247AC
	AUIRG4PH50S	TO-247-3	IGBT 1200V 57A 200W TO247AC
	STGW25M120DF3	TO-247-3	STMICROELECTRONICS STGW25M120DF3 IGBT Single Transistor, 50 A, 1.85 V, 375 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pins
	IRGP30B120KD-EP	TO-247-3	IGBT 1200V 60A 300W TO247AD

IXA33IF1200HB Preis
IXA33IF1200HB Verteilers
IXA33IF1200HB Hersteller
IXA33IF1200HB Technische Daten
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

Hersteller:

Beschreibung: IXYS SEMICONDUCTOR IXA33IF1200HB IGBT Single Transistor, 58 A, 2.1 V, 250 W, 1.2 kV, TO-247AD, 3 Pins

Verpackung: TO-247-3

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

datasheet

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Stückpreis: 12.89922

Menge.	Stückpreis
1+:	$12.89922
10+:	$12.16908
100+:	$11.48026
500+:	$10.83043
1000+:	$10.21739

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