STGW60H65DFB - STMicroelectronics
Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen
Kynix Teil #: KY13-STGW60H65DFB
Hersteller Teil #: STGW60H65DFB
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: IGBT 650V 80A 375W TO-247
Verpackung: TO-247-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: 
STGW60H65DFB Datenblatt
STGW60H65DFB Datenblatt
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
Factory Lead Time
20 Weeks
Mount
Through Hole
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-247-3
Number of Pins
3
Weight
38.000013g
Collector-Emitter Breakdown Voltage
650V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.6V
Test Conditions
400V, 60A, 5 Ω, 15V
Operating Temperature
-55°C~175°C TJ
Packaging
Tube
Part Status
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
ECCN Code
EAR99
Max Power Dissipation
375W
Peak Reflow Temperature (Cel)
NOT SPECIFIED
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)
NOT SPECIFIED
Base Part Number
STGW60
Element Configuration
Single
Input Type
Standard
Power - Max
375W
Polarity/Channel Type
N-CHANNEL
Collector Emitter Voltage (VCEO)
650V
Max Collector Current
80A
Reverse Recovery Time
60 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
2V @ 15V, 60A
IGBT Type
Trench Field Stop
Gate Charge
306nC
Current - Collector Pulsed (Icm)
240A
Td (on/off) @ 25°C
51ns/160ns
Switching Energy
1.09mJ (on), 626μJ (off)
Gate-Emitter Voltage-Max
20V
Height
20.15mm
Length
15.75mm
Width
5.15mm
REACH SVHC
No SVHC
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Lead Free
Lead Free
Suche nach Teilenummer:STGW60H65DFB Enthaltenes Wort ist 5
| Telefon | Teilenummer | Paket | Beschreibung |
|---|---|---|---|
| STGW60H65DFB | TO-247-3 | IGBT 650V 80A 375W TO-247 | |
| STGW40H65DFB | TO-247-3 | IGBT 650V 80A 283W TO-247 | |
| IKW50N65H5FKSA1 | TO-247-3 | IGBT Transistors IGBT PRODUCTS | |
| STGW40H65FB | TO-247-3 | IGBT Transistors 650V 40A Trench Gate Field-Stop IGBT | |
| STGWA60H65DFB | TO-247-3 | Trans IGBT Chip N-CH 650V 80A 3-Pin TO-247 Tube |
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What is an IGBT developed using?
trench gate and field stop structure
What new series of IGBTs represent an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of any frequency converter?
HB
How many Abr>• Tight parameters distributionbr>• Safe parallelingbr>• Low thermal resistancebr
60
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: IGBT 650V 80A 375W TO-247
Verpackung: TO-247-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt:
Datenblatt
Datenblatt
Lagerbestand: 100 Kann sofort geliefert werden
Stückpreis: 5.56496
| Menge. | Stückpreis |
|---|---|
| 1+: | $5.56496 |
| 10+: | $5.24996 |
| 100+: | $4.95279 |
| 500+: | $4.67244 |
| 1000+: | $4.40797 |
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