STGW60H65DF - STMicroelectronics

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-STGW60H65DF
Hersteller Teil #: STGW60H65DF
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: IGBT Transistors 60 A 650V Field Stop Trench Gate IGBT
Verpackung: TO-247-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Lifecycle Status  
NRND (Last Updated: 8 months ago)
Factory Lead Time  
32 Weeks
Mount  
Through Hole
Mounting Type  
Through Hole
Package / Case  
TO-247-3
Weight  
6.500007g
Transistor Element Material  
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
650V
Collector-Emitter Saturation Voltage  
2.1V
Number of Elements  
1
Test Conditions  
400V, 60A, 10 Ω, 15V
Turn Off Delay Time  
165 ns
Operating Temperature  
-55°C~150°C TJ
Packaging  
Tube
JESD-609 Code  
e3
Part Status  
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Number of Terminations  
3
ECCN Code  
EAR99
Terminal Finish  
Tin (Sn)
Max Power Dissipation  
360W
Base Part Number  
STGW60
JESD-30 Code  
R-PSFM-T3
Element Configuration  
Single
Input Type  
Standard
Turn On Delay Time  
67 ns
Power - Max  
360W
Transistor Application  
POWER CONTROL
Polarity/Channel Type  
N-CHANNEL
Collector Emitter Voltage (VCEO)  
350V
Max Collector Current  
120A
Reverse Recovery Time  
62 ns
Turn On Time  
113 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic  
1.9V @ 15V, 60A
Turn Off Time-Nom (toff)  
247 ns
IGBT Type  
Trench Field Stop
Gate Charge  
206nC
Current - Collector Pulsed (Icm)  
240A
Td (on/off) @ 25°C  
67ns/165ns
Switching Energy  
1.5mJ (on), 1.1mJ (off)
Gate-Emitter Voltage-Max  
20V
Radiation Hardening  
No
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
Lead Free  
Lead Free
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Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
STGW60H65DF TO-247-3 IGBT Transistors 60 A 650V Field Stop Trench Gate IGBT
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Häufig gestellte Fragen

What is an IGBT developed using?

trench gate and field stop structure

What new series of IGBTs represent an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of any frequency converter?

HB

How many Abr>• Tight parameters distributionbr>• Safe parallelingbr>• Low thermal resistancebr

60

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: IGBT Transistors 60 A 650V Field Stop Trench Gate IGBT
Verpackung: TO-247-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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