STGW60H65DF - STMicroelectronics
Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen
Kynix Teil #: KY13-STGW60H65DF
Hersteller Teil #: STGW60H65DF
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: IGBT Transistors 60 A 650V Field Stop Trench Gate IGBT
Verpackung: TO-247-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: 
STGW60H65DF Datenblatt
STGW60H65DF Datenblatt
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Lifecycle Status
NRND (Last Updated: 8 months ago)
Factory Lead Time
32 Weeks
Mount
Through Hole
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-247-3
Weight
6.500007g
Transistor Element Material
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
650V
Collector-Emitter Saturation Voltage
2.1V
Number of Elements
1
Test Conditions
400V, 60A, 10 Ω, 15V
Turn Off Delay Time
165 ns
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Packaging
Tube
JESD-609 Code
e3
Part Status
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Number of Terminations
3
ECCN Code
EAR99
Terminal Finish
Tin (Sn)
Max Power Dissipation
360W
Base Part Number
STGW60
JESD-30 Code
R-PSFM-T3
Element Configuration
Single
Input Type
Standard
Turn On Delay Time
67 ns
Power - Max
360W
Transistor Application
POWER CONTROL
Polarity/Channel Type
N-CHANNEL
Collector Emitter Voltage (VCEO)
350V
Max Collector Current
120A
Reverse Recovery Time
62 ns
Turn On Time
113 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.9V @ 15V, 60A
Turn Off Time-Nom (toff)
247 ns
IGBT Type
Trench Field Stop
Gate Charge
206nC
Current - Collector Pulsed (Icm)
240A
Td (on/off) @ 25°C
67ns/165ns
Switching Energy
1.5mJ (on), 1.1mJ (off)
Gate-Emitter Voltage-Max
20V
Radiation Hardening
No
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Lead Free
Lead Free
Suche nach Teilenummer:STGW60H65DF Enthaltenes Wort ist 5
| Telefon | Teilenummer | Paket | Beschreibung |
|---|---|---|---|
| STGW60H65DF | TO-247-3 | IGBT Transistors 60 A 650V Field Stop Trench Gate IGBT | |
| FGH50T65UPD | TO-247-3 | IGBT Transistors 650 V 100 A 240 W | |
| STGW80H65DFB | TO-247-3 | Trans IGBT Chip N-CH 650V 120A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube | |
| FGH75T65SHDTL4 | TO-247-4 | IGBT Transistors FS3 TIGBT Excellent switching performan | |
| NGTB60N60SWG | TO-247-3 | ON SEMICONDUCTOR NGTB60N60SWGIGBT Single Transistor, 120 A, 2 V, 298 W, 600 V, TO-247, 3 Pins |
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What is an IGBT developed using?
trench gate and field stop structure
What new series of IGBTs represent an optimum compromise between conduction and switching losses to maximize the efficiency of any frequency converter?
HB
How many Abr>• Tight parameters distributionbr>• Safe parallelingbr>• Low thermal resistancebr
60
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: IGBT Transistors 60 A 650V Field Stop Trench Gate IGBT
Verpackung: TO-247-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
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Datenblatt
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Paket
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