STGP10NB60SD - STMicroelectronics
Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen
Kynix Teil #: KY13-STGP10NB60SD
Hersteller Teil #: STGP10NB60SD
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: Trans IGBT Chip N-CH 600V 29A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Tube
Verpackung: TO-220-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: 
STGP10NB60SD Datenblatt
STGP10NB60SD Datenblatt
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Lifecycle Status
ACTIVE (Last Updated: 8 months ago)
Factory Lead Time
8 Weeks
Contact Plating
Tin
Mount
Through Hole
Mounting Type
Through Hole
Package / Case
TO-220-3
Weight
6.000006g
Transistor Element Material
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage
600V
Number of Elements
1
Test Conditions
480V, 10A, 1k Ω, 15V
Turn Off Delay Time
1.2 μs
Operating Temperature
-55°C~150°C TJ
Packaging
Tube
Series
PowerMESH™
JESD-609 Code
e3
Part Status
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)
1 (Unlimited)
Number of Terminations
3
ECCN Code
EAR99
Voltage - Rated DC
600V
Max Power Dissipation
80W
Current Rating
20A
Base Part Number
STGP10
Pin Count
3
JESD-30 Code
R-PSFM-T3
Element Configuration
Single
Power Dissipation
3.5W
Case Connection
COLLECTOR
Input Type
Standard
Turn On Delay Time
700 ns
Power - Max
80W
Transistor Application
POWER CONTROL
Rise Time
460ns
Polarity/Channel Type
N-CHANNEL
Collector Emitter Voltage (VCEO)
600V
Max Collector Current
29A
Reverse Recovery Time
37 ns
Continuous Drain Current (ID)
10A
JEDEC-95 Code
TO-220AB
Drain to Source Breakdown Voltage
600V
Turn On Time
1160 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic
1.75V @ 15V, 10A
Turn Off Time-Nom (toff)
3100 ns
Gate Charge
33nC
Current - Collector Pulsed (Icm)
80A
Td (on/off) @ 25°C
700ns/1.2μs
Switching Energy
600μJ (on), 5mJ (off)
Gate-Emitter Voltage-Max
20V
Gate-Emitter Thr Voltage-Max
5V
Height
9.15mm
Length
10.4mm
Width
4.6mm
Radiation Hardening
No
RoHS Status
ROHS3 Compliant
Lead Free
Lead Free
Suche nach Teilenummer:STGP10NB60SD Enthaltenes Wort ist 5
| Telefon | Teilenummer | Paket | Beschreibung |
|---|---|---|---|
| STGP10NB60SD | TO-220-3 | Trans IGBT Chip N-CH 600V 29A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Tube | |
| STGF14NC60KD | TO-220-3 Full Pack | STMICROELECTRONICS STGF14NC60KD IGBT Single Transistor, 11 A, 2.5 V, 28 W, 600 V, TO-220FP, 3 Pins | |
| STGF10NB60SD | TO-220-3 Full Pack | STMICROELECTRONICS STGF10NB60SD IGBT Single Transistor, 20 A, 1.8 V, 25 W, 600 V, TO-220FP, 3 Pins | |
| IRG4IBC20KDPBF | TO-220-3 Full Pack | IGBT 600V 11.5A 34W TO220FP | |
| IRG4IBC20FDPBF | TO-220-3 Full Pack | IGBT 600V 14.3A 34W TO220FP |
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Häufig gestellte Fragen
What suffix identifies a family optimized achieve minimum on-voltage drop for low frequency application?
S
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: Trans IGBT Chip N-CH 600V 29A 3-Pin(3 Tab) TO-220 Tube
Verpackung: TO-220-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt:
Datenblatt
Datenblatt
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Paket
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