STGWA25M120DF3 - STMicroelectronics

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-STGWA25M120DF3
Hersteller Teil #: STGWA25M120DF3
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: STMICROELECTRONICS STGWA25M120DF3 IGBT Single Transistor, 50 A, 1.85 V, 375 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pins
Verpackung: TO-247-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Lifecycle Status  
ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
Factory Lead Time  
30 Weeks
Mount  
Through Hole
Mounting Type  
Through Hole
Package / Case  
TO-247-3
Number of Pins  
3
Weight  
38.000013g
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
1.2kV
Collector-Emitter Saturation Voltage  
1.85V
Test Conditions  
600V, 25A, 15 Ω, 15V
Operating Temperature  
-55°C~175°C TJ
Packaging  
Tube
Part Status  
Active
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
ECCN Code  
EAR99
Max Power Dissipation  
375W
Peak Reflow Temperature (Cel)  
NOT SPECIFIED
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)  
NOT SPECIFIED
Base Part Number  
STGWA25
Element Configuration  
Single
Input Type  
Standard
Power - Max  
375W
Polarity/Channel Type  
N-CHANNEL
Collector Emitter Voltage (VCEO)  
1.2kV
Max Collector Current  
50A
Reverse Recovery Time  
265 ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  
1200V
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic  
2.3V @ 15V, 25A
IGBT Type  
Trench Field Stop
Gate Charge  
85nC
Current - Collector Pulsed (Icm)  
100A
Td (on/off) @ 25°C  
28ns/150ns
Switching Energy  
850μJ (on), 1.3mJ (off)
Gate-Emitter Voltage-Max  
20V
Gate-Emitter Thr Voltage-Max  
7V
REACH SVHC  
No SVHC
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
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Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
STGWA25M120DF3 TO-247-3 STMICROELECTRONICS STGWA25M120DF3 IGBT Single Transistor, 50 A, 1.85 V, 375 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pins
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STGW25S120DF3 TO-247-3 STMICROELECTRONICS STGW25S120DF3 IGBT, SINGLE, 1.2KV, 50A, TO-247-3
STGWA25S120DF3 TO-247-3 STMICROELECTRONICS STGWA25S120DF3 IGBT, SINGLE, 1.2KV, 50A, TO-247-3
IRGP30B120KD-EP TO-247-3 IGBT 1200V 60A 300W TO247AD
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Häufig gestellte Fragen

What type of structure is the IGBT developed using?

trench gate field-stop

What series of IGBTs is the device part of?

M series of IGBTs

How many Abr>• Tight parameters distributionbr>• Safer parallelingbr>• Low thermal resistanceb

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: STMICROELECTRONICS STGWA25M120DF3 IGBT Single Transistor, 50 A, 1.85 V, 375 W, 1.2 kV, TO-247, 3 Pins
Verpackung: TO-247-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
Lagerbestand: 3600 Kann sofort geliefert werden
Stückpreis: 4.21924
Menge. Stückpreis
1+: $4.21924
10+: $3.98042
100+: $3.75511
500+: $3.54256
1000+: $3.34204
Zwischensumme: $4.21924

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