STGWA30N120KD - STMicroelectronics

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-STGWA30N120KD
Hersteller Teil #: STGWA30N120KD
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Single
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 60A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube
Verpackung: TO-247-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Lifecycle Status  
NRND (Last Updated: 8 months ago)
Mount  
Through Hole
Mounting Type  
Through Hole
Package / Case  
TO-247-3
Number of Pins  
3
Transistor Element Material  
SILICON
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
1.2kV
Number of Elements  
1
Test Conditions  
960V, 20A, 10 Ω, 15V
Operating Temperature  
-55°C~125°C TJ
Packaging  
Tube
Series  
PowerMESH™
JESD-609 Code  
e3
Part Status  
Obsolete
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Number of Terminations  
3
ECCN Code  
EAR99
Terminal Finish  
Tin (Sn)
Max Power Dissipation  
220W
Terminal Position  
SINGLE
Peak Reflow Temperature (Cel)  
NOT SPECIFIED
Reach Compliance Code  
not_compliant
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)  
NOT SPECIFIED
Base Part Number  
STGWA30
Configuration  
SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
Input Type  
Standard
Power - Max  
220W
Transistor Application  
MOTOR CONTROL
Polarity/Channel Type  
N-CHANNEL
Collector Emitter Voltage (VCEO)  
3.85V
Max Collector Current  
60A
Reverse Recovery Time  
84 ns
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max)  
1200V
Turn On Time  
57 ns
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic  
3.85V @ 15V, 20A
Turn Off Time-Nom (toff)  
756 ns
Gate Charge  
105nC
Current - Collector Pulsed (Icm)  
100A
Td (on/off) @ 25°C  
36ns/251ns
Switching Energy  
2.4mJ (on), 4.3mJ (off)
Gate-Emitter Voltage-Max  
25V
Gate-Emitter Thr Voltage-Max  
6.5V
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
Suche nach Teilenummer:STGWA30N120KD Enthaltenes Wort ist 5
Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
STGWA30N120KD TO-247-3 Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 60A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube
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Häufig gestellte Fragen

What type of structure are IGBTs developed using?

trench gate field-stop

What type of IGBTs are these devices part of?

improved H series of IGBTs

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 60A 3-Pin(3 Tab) TO-247 Tube
Verpackung: TO-247-3
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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