STD6NF10T4 - STMicroelectronics

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-STD6NF10T4
Hersteller Teil #: STD6NF10T4
Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 6A DPAK
Verpackung: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Mount  
Surface Mount
Mounting Type  
Surface Mount
Package / Case  
TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Number of Pins  
3
Transistor Element Material  
SILICON
Current - Continuous Drain (Id) @ 25℃  
6A Tc
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)  
10V
Number of Elements  
1
Power Dissipation (Max)  
30W Tc
Turn Off Delay Time  
20 ns
Voltage - Gate Threshold (Vgs(th)) (Max) @ Id  
4V @ 250μA
Operating Temperature  
-65°C~175°C TJ
Packaging  
Tape & Reel (TR)
Series  
STripFET™
JESD-609 Code  
e3
Part Status  
ACTIVE (Last Updated: 7 months ago)
Moisture Sensitivity Level (MSL)  
1 (Unlimited)
Number of Terminations  
2
ECCN Code  
EAR99
Resistance  
250mOhm
Terminal Finish  
Matte Tin (Sn)
Additional Feature  
LOW THRESHOLD
Voltage - Rated DC  
100V
Terminal Form  
GULL WING
Peak Reflow Temperature (Cel)  
260
Current Rating  
6A
Time@Peak Reflow Temperature-Max (s)  
30
Base Part Number  
STD6N
JESD-30 Code  
R-PSSO-G2
Element Configuration  
Single
Operating Mode  
ENHANCEMENT MODE
Power Dissipation  
30W
Case Connection  
DRAIN
Turn On Delay Time  
6 ns
FET Type  
N-Channel
Transistor Application  
SWITCHING
Rds On (Max) @ Id, Vgs  
250m Ω @ 3A, 10V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds  
280pF @ 25V
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs  
14nC @ 10V
Rise Time  
10ns
Vgs (Max)  
±20V
Fall Time (Typ)  
3 ns
Continuous Drain Current (ID)  
3A
Threshold Voltage  
4V
JEDEC-95 Code  
TO-252AA
Gate to Source Voltage (Vgs)  
20V
Drain Current-Max (Abs) (ID)  
6A
Drain to Source Breakdown Voltage  
100V
Pulsed Drain Current-Max (IDM)  
24A
Avalanche Energy Rating (Eas)  
200 mJ
Height  
2.4mm
Length  
6.6mm
Width  
6.2mm
REACH SVHC  
No SVHC
Radiation Hardening  
No
RoHS Status  
ROHS3 Compliant
Lead Free  
Lead Free
Suche nach Teilenummer:STD6NF10T4 Enthaltenes Wort ist 5
Telefon Teilenummer Paket Beschreibung
STD6NF10T4 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET N-CH 100V 6A DPAK
STD12NF06T4 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET N-CH 60V 12A DPAK
FDD86102 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET N-CH 100V 8A DPAK
FDD3682 TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 MOSFET N-CH 100V 32A D-PAK
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Häufig gestellte Fragen

What type of process is STripFET designed to minimize input capacitance and gate charge?

STMicroelectronics

What is the Power MOSFET series intended for?

low gate drive requirements

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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: MOSFET N-CH 100V 6A DPAK
Verpackung: TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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