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Total 59
- 1
- 2
- 3
- APT3565BN
- Unternehmen :
- Verpackung:N/A
- Preis:aufrufen
- Vorrätig:Auf Bestellung
- Bemerkung:11 A, 350 V, 0.65 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD
- APT3525BN
- Unternehmen :
- Verpackung:N/A
- Preis:aufrufen
- Vorrätig:Auf Bestellung
- Bemerkung:23A, 350V, 0.25ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD
- APT3555DN
- Unternehmen :
- Verpackung:N/A
- Preis:aufrufen
- Vorrätig:Auf Bestellung
- Bemerkung:TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,350V V(BR)DSS,12A I(D),CHIP / DIE
- APT3540BN
- Unternehmen :
- Verpackung:N/A
- Preis:aufrufen
- Vorrätig:Auf Bestellung
- Bemerkung:16A, 350V, 0.4ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD, TO-247AD, 3 PIN
- APT3555BN
- Unternehmen :
- Verpackung:N/A
- Preis:aufrufen
- Vorrätig:Auf Bestellung
- Bemerkung:TRANSISTOR,MOSFET,N-CHANNEL,350V V(BR)DSS,12A I(D),TO-247AD
- APT3555BN
- Unternehmen :
- Verpackung:N/A
- Preis:aufrufen
- Vorrätig:Auf Bestellung
- Bemerkung:Description: Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
- APT3580BN
- Unternehmen :
- Verpackung:N/A
- Preis:aufrufen
- Vorrätig:Auf Bestellung
- Bemerkung:10 A, 350 V, 0.8 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-247AD
- APT3580BN
- Unternehmen :
- Verpackung:N/A
- Preis:aufrufen
- Vorrätig:Auf Bestellung
- Bemerkung:Power Field-Effect Transistor, 10A I(D), 350V, 0.8ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD
- APT3565BN
- Unternehmen :
- Verpackung:N/A
- Preis:aufrufen
- Vorrätig:Auf Bestellung
- Bemerkung:Power Field-Effect Transistor, 11A I(D), 350V, 0.65ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD
- APT3525BN
- Unternehmen :
- Verpackung:N/A
- Preis:aufrufen
- Vorrätig:Auf Bestellung
- Bemerkung:Power Field-Effect Transistor, 23A I(D), 350V, 0.25ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD
- APT3555DN
- Unternehmen :
- Verpackung:N/A
- Preis:aufrufen
- Vorrätig:Auf Bestellung
- Bemerkung:Power Field-Effect Transistor, N-Channel, Metal-oxide Semiconductor FET
- APT3540BN
- Unternehmen :
- Verpackung:N/A
- Preis:aufrufen
- Vorrätig:Auf Bestellung
- Bemerkung:Description: Power Field-Effect Transistor, 16A I(D), 350V, 0.4ohm, 1-Element, N-Channel, Silicon, Metal-oxide Semiconductor FET, TO-247AD, TO-247AD, 3 PIN
- APT35SM70S
- Unternehmen :
- Verpackung:N/A
- Preis:aufrufen
- Vorrätig:Auf Bestellung
- Bemerkung:Silicon Carbide Power Transistors/modules
- APT35SM70S
- Unternehmen :
- Verpackung:TO-247-3
- Preis:aufrufen
- Vorrätig:Auf Bestellung
- Bemerkung:MOSFET N-CH 700V D3PAK
- APT35SM70B
- Unternehmen :
- Verpackung:TO-247-3
- Preis:aufrufen
- Vorrätig:Auf Bestellung
- Bemerkung:MOSFET N-CH 700V TO247
- APT35G50BN
- Unternehmen :
- Verpackung:N/A
- Preis:aufrufen
- Vorrätig:Auf Bestellung
- Bemerkung:Insulated Gate Bipolar Transistor, 35A I(C), 500V V(BR)CES, N-Channel
- APT35G60BN
- Unternehmen :
- Verpackung:N/A
- Preis:aufrufen
- Vorrätig:Auf Bestellung
- Bemerkung:Insulated Gate Bipolar Transistor, 35A I(C), 600V V(BR)CES, N-Channel
- APT35GA90B
- Unternehmen :
- Verpackung:TO-247-3
- Preis:aufrufen
- Vorrätig:501
- Bemerkung:IGBT Transistors FG, IGBT, 900V, TO-247View in Development Tools Selector
- 501
- APT35SM70B
- Unternehmen :
- Verpackung:N/A
- Preis:aufrufen
- Vorrätig:Auf Bestellung
- Bemerkung:Silicon Carbide Power Transistors/modules
- APT35GA90B
- Unternehmen :
- Verpackung:TO-247-3
- Preis:aufrufen
- Vorrätig:Auf Bestellung
- Bemerkung:IGBT 900V 63A 290W TO-247
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