IRFBC30 - Vishay
Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen
Kynix Teil #: KY13-IRFBC30
Hersteller Teil #: IRFBC30
Produktkategorie: Transistors - Special Purpose
Hersteller: Vishay
Beschreibung: Mosfet, Power; N-channel; 2.2 Ohms (max.); 600 V (min.); 3.6 A (max.) @ 25 Degc
Verpackung:
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: 
IRFBC30 Datenblatt
IRFBC30 Datenblatt
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Mount
Through Hole
Number of Pins
3
Weight
6.000006 g
Number of Elements
1
RoHS
Non-Compliant
Turn Off Delay Time
35 ns
Voltage Rating (DC)
600 V
Fall Time
14 ns
Case/Package
TO-220-3
Packaging
Bulk
Max Operating Temperature
150 °C
Min Operating Temperature
-55 °C
Max Power Dissipation
74 W
Current Rating
3.6 A
Number of Channels
1
Element Configuration
Single
Power Dissipation
74 W
Turn On Delay Time
11 ns
Rise Time
13 ns
Drain to Source Voltage (Vdss)
600 V
Continuous Drain Current (ID)
3.6 A
Gate to Source Voltage (Vgs)
20 V
Drain to Source Breakdown Voltage
600 V
Input Capacitance
660 pF
Drain to Source Resistance
2.2 Ω
Rds On Max
2.2 Ω
Height
9.01 mm
Length
10.41 mm
Width
4.7 mm
Lead Free
Contains Lead
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Häufig gestellte Fragen
What is the name of the technology that can be used to create a safe operating area?
Rugged Gate Oxide Technology
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
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Beschreibung: Mosfet, Power; N-channel; 2.2 Ohms (max.); 600 V (min.); 3.6 A (max.) @ 25 Degc
Verpackung:
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
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Datenblatt
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