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AP120N04P - A Power microelectronics

Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen

Kynix Teil #: KY13-AP120N04P

Hersteller Teil #: AP120N04P

Produktkategorie: Transistors - FETs, MOSFETs - Single

Hersteller: A Power microelectronics

Beschreibung: 40V 120A 3mΩ@10V,30A 180W 2.8V@250uA 1 N-Channel TO-220-3L MOSFETs ROHS

Verpackung:

Menge:

Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

AP120N04P Datenblatt

Attribute

Attribute Value

RoHS

true

Drain Source Voltage (Vdss)

40V

Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id)

3mΩ@10V,30A

Power Dissipation (Pd)

180W

Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id)

2.8V@250uA

Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)

317pF@20V

Input Capacitance (Ciss@Vds)

4.9nF@20V

Total Gate Charge (Qg@Vgs)

80nC@10V

Package

Tube-packed

Operating Temperature

-55℃~+150℃@(Tj)

Type

1 N-Channel

Continuous Drain Current (Id)

120A

Telefon	Teilenummer	Paket	Beschreibung

AP120N04P Preis
AP120N04P Verteilers
AP120N04P Hersteller
AP120N04P Technische Daten
AP120N04P PDF
AP120N04P Datenblätter
AP120N04P Bild
AP120N04P Foto
AP120N04P Teil
AP120N04P Lagerbestand
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined

Hersteller Teil #:

Produktkategorie:

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Beschreibung: 40V 120A 3mΩ@10V,30A 180W 2.8V@250uA 1 N-Channel TO-220-3L MOSFETs ROHS

Verpackung:

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Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform

Vorlaufzeit: 3(168 Hours)

Datenblatt: datasheet

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