BAS32L - NXP Semiconductors
Die Bilder dienen nur als Referenz Siehe Produktspezifikationen
Kynix Teil #: KY8-BAS32L
Hersteller Teil #: BAS32L
Produktkategorie: TVS - Diodes
Hersteller: NXP Semiconductors
Beschreibung: HIGH-SPEED SWITCHING DIODE Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 100V V(RRM), Silicon
Verpackung:
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: 
BAS32L Datenblatt
BAS32L Datenblatt
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Number of Pins
2
Power Dissipation (Max)
500 mW
RoHS
Compliant
Termination
SMD/SMT
Max Operating Temperature
200 °C
Min Operating Temperature
-65 °C
Element Configuration
Single
Forward Current
200 mA
Forward Voltage
1 V
Max Reverse Voltage (DC)
75 V
Reverse Recovery Time
4 ns
Max Repetitive Reverse Voltage (Vrrm)
100 V
Max Forward Surge Current (Ifsm)
4 A
Recovery Time
4 ns
REACH SVHC
No SVHC
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Häufig gestellte Fragen
What is a single high-speed switching diode?
fabricated in planar technology
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
Hersteller:
Beschreibung: HIGH-SPEED SWITCHING DIODE Rectifier Diode, 1 Phase, 1 Element, 0.2A, 100V V(RRM), Silicon
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Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
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Schritt3 Antistatikbeutel
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