STGHU30M65DF2AG - STMicroelectronics
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Kynix Teil #: KY13-STGHU30M65DF2AG
Hersteller Teil #: STGHU30M65DF2AG
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Arrays
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 30 A low-loss M series IGBT
Verpackung: HU3PAK-7
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: 
STGHU30M65DF2AG Datenblatt
STGHU30M65DF2AG Datenblatt
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Package / Case
HU3PAK-7
RoHS
RoHS Compliant
Mounting Styles
SMD/SMT
Collector- Emitter Voltage VCEO Max
650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage
1.6 V
Maximum Gate Emitter Voltage
20 V
Continuous Collector Current at 25 C
87 A
Pd - Power Dissipation
441 W
Minimum Operating Temperature
- 55 C
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Qualification
AEC-Q101
Continuous Collector Current Ic Max
57 A
Gate-Emitter Leakage Current
250 nA
Factory Pack Quantity
600
Unit Weight
0.081836 oz
Packaging
Reel
Configuration
Single
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| Telefon | Teilenummer | Paket | Beschreibung |
|---|
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
Hersteller Teil #:
Produktkategorie:
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Beschreibung: IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 30 A low-loss M series IGBT
Verpackung: HU3PAK-7
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
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Datenblatt
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