STGHU30M65DF2AG - STMicroelectronics

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Kynix Teil #: KY13-STGHU30M65DF2AG
Hersteller Teil #: STGHU30M65DF2AG
Produktkategorie: Transistors - IGBTs - Arrays
Hersteller: STMicroelectronics
Beschreibung: IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 30 A low-loss M series IGBT
Verpackung: HU3PAK-7
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status: Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Spezifikationen
Attribute
Attribute Value
Package / Case  
HU3PAK-7
RoHS  
RoHS Compliant
Mounting Styles  
SMD/SMT
Collector- Emitter Voltage VCEO Max  
650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage  
1.6 V
Maximum Gate Emitter Voltage  
20 V
Continuous Collector Current at 25 C  
87 A
Pd - Power Dissipation  
441 W
Minimum Operating Temperature  
- 55 C
Maximum Operating Temperature  
+ 175 C
Qualification  
AEC-Q101
Continuous Collector Current Ic Max  
57 A
Gate-Emitter Leakage Current  
250 nA
Factory Pack Quantity  
600
Unit Weight  
0.081836 oz
Packaging  
Reel
Configuration  
Single
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Kynix Teil #: KYundefined-undefined
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Produktkategorie:
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Beschreibung: IGBTs Automotive-grade trench gate field-stop 650 V, 30 A low-loss M series IGBT
Verpackung: HU3PAK-7
Menge:
Bleifrei-Status / RoHS-Status Bleifrei / RoHS-konform
Vorlaufzeit: 3(168 Hours)
Datenblatt: datasheet  Datenblatt
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